Полевые транзисторы FET, MOSFET

Всего товаров: 645

Товаров на странице:

Код заказа

Фото	В корзину	Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Монтаж	Vth Typ	Корпус	Id	Pd	Vgd	Rdson@VGS10V	Rdson@VGS4,5V	Qg	Исполнение	Монтаж	Id

Код заказа
PTA06N45* Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA06N60C Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA06N65C Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA06N70B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA06N80 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA06N90 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA07N45 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA07N60B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA07N65B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA07N80 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA08N100 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA08N65 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA09N45 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA09N50 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA09N90 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA09N90A Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA10N40B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA10N60B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA10N65B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA10N70B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor

Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Vth Typ	Корпус	Rdson@VGS10V	Монтаж	Id
Planar	N	Одиночный	430 В	2 В	TO-220F	900 мОм	Выводной	6 A
Planar	N	Одиночный	600 В	2 В	TO-220F	1400 мОм	Выводной	6 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-220F	1550 мОм	Выводной	6 A
Planar	N	Одиночный	700 В	2 В	TO-220F	1450 мОм	Выводной	6 A
Planar	N	Одиночный	800 В	2 В	TO-220F	2500 мОм	Выводной	6 A
Planar	N	Одиночный	900 В	2 В	TO-220F	1400 мОм	Выводной	6 A
Planar	N	Одиночный	430 В	2 В	TO-220F	630 мОм	Выводной	7 A
Planar	N	Одиночный	600 В	2 В	TO-220F	1100 мОм	Выводной	7 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-220F	1200 мОм	Выводной	7 A
Planar	N	Одиночный	800 В	2 В	TO-220F	1500 мОм	Выводной	7 A
Planar	N	Одиночный	1000 В	2 В	TO-220F	1200 мОм	Выводной	8 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-220F	900 мОм	Выводной	8 A
Planar	N	Одиночный	430 В	2 В	TO-220F	480 мОм	Выводной	9 A
Planar	N	Одиночный	500 В	2 В	TO-220F	550 мОм	Выводной	9 A
Planar	N	Одиночный	900 В	2 В	TO-220F	1200 мОм	Выводной	9 A
Planar	N	Одиночный	900 В	2 В	TO-220F	980 мОм	Выводной	9 A
Planar	N	Одиночный	400 В	2 В	TO-220F	450 мОм	Выводной	10 A
Planar	N	Одиночный	600 В	2 В	TO-220F	680 мОм	Выводной	10 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-220F	750 мОм	Выводной	10 A
Planar	N	Одиночный	700 В	2 В	TO-220F	900 мОм	Выводной	10 A

Начало 2 3 4 5 6 Конец

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.

Полевые транзисторы

Вопрос-ответ

Задать вопрос

Полевые транзисторы

Отображение колонок

Вопрос-ответ

Задать вопрос