Полевые транзисторы FET, MOSFET

Всего товаров: 645

Товаров на странице:

Код заказа

Фото	В корзину	Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Монтаж	Vth Typ	Корпус	Id	Pd	Vgd	Rdson@VGS10V	Rdson@VGS4,5V	Qg	Исполнение	Монтаж	Id

Код заказа
PTA10N80 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA11N40 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA11N45 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA12N50B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA12N60 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA12N65 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA12N70* Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA12N80 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA12N90 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA13N45 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA13N50B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA13N65 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA14N80 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA15N45 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA15N50 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA15N50B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA16N60 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA16N65 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA16N70 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA18N45 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor

Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Vth Typ	Корпус	Rdson@VGS10V	Qg	Монтаж	Id
Planar	N	Одиночный	800 В	2 В	TO-220F	1000 мОм		Выводной	10 A
Planar	N	Одиночный	400 В	2 В	TO-220F	350 мОм		Выводной	11 A
Planar	N	Одиночный	450 В	2 В	TO-220F	390 мОм	25 нКл	Выводной	11 A
Planar	N	Одиночный	500 В	2 В	TO-220F	440 мОм		Выводной	12 A
Planar	N	Одиночный	600 В	2 В	TO-220F	550 мОм		Выводной	12 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-220F	600 мОм		Выводной	12 A
Planar	N	Одиночный	700 В	2 В	TO-220F	780 мОм		Выводной	12 A
Planar	N	Одиночный	800 В	2 В	TO-220F	800 мОм		Выводной	12 A
Planar	N	Одиночный	900 В	2 В	TO-220F	700 мОм		Выводной	12 A
Planar	N	Одиночный	450 В	2 В	TO-220F	350 мОм		Выводной	13 A
Planar	N	Одиночный	500 В	2 В	TO-220F	400 мОм		Выводной	13 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-220F	550 мОм		Выводной	13 A
Planar	N	Одиночный	800 В	2 В	TO-220F	550 мОм		Выводной	14 A
Planar	N	Одиночный	450 В	2 В	TO-220F	320 мОм		Выводной	15 A
Planar	N	Одиночный	500 В	2 В	TO-220F	330 мОм		Выводной	15 A
Planar	N	Одиночный	500 В	2 В	TO-220F	380 мОм		Выводной	15 A
Planar	N	Одиночный	600 В	2 В	TO-220F	400 мОм		Выводной	16 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-220F	450 мОм		Выводной	16 A
Planar	N	Одиночный	700 В	2 В	TO-220F	600 мОм		Выводной	16 A
Planar	N	Одиночный	450 В	2 В	TO-220F	260 мОм		Выводной	18 A

Начало 3 4 5 6 7 Конец

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.

Полевые транзисторы

Вопрос-ответ

Задать вопрос

Полевые транзисторы

Отображение колонок

Вопрос-ответ

Задать вопрос