Полевые транзисторы FET, MOSFET

Всего товаров: 645

Товаров на странице:

Код заказа

Фото	В корзину	Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Монтаж	Vth Typ	Корпус	Id	Pd	Vgd	Rdson@VGS10V	Rdson@VGS4,5V	Qg	Исполнение	Монтаж	Id

Код заказа
PSA13N50 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PSA5090 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PSD04N60B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PSD04N65B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PSD04N70B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PSD05N65 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PSD06N40 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PSD07N60 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PSD07N65 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PSP10N40 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PSP10N60C Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PSP10N65C Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA02N100 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA02N90 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA03N120 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA04N100 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA04N45* Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA04N80 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA04N90 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA06N100* Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor

Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Vth Typ	Корпус	Rdson@VGS10V	Qg	Монтаж	Id
Planar	N	Одиночный	500 В	2 В	TO-220F	400 мОм		Выводной	13 A
Planar	N	Одиночный	500 В	2 В	TO-220F	700 мОм		Выводной	9 A
Planar	N	Одиночный	600 В	2 В	TO-252	2000 мОм		Поверхностный	4 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-252	230 мОм		Поверхностный	4 A
Planar	N	Одиночный	700 В	2 В	TO-252	2600 мОм		Поверхностный	4 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-252	1850 мОм		Поверхностный	5 A
Planar	N	Одиночный	400 В	2 В	TO-252	780 мОм		Поверхностный	6 A
Planar	N	Одиночный	600 В	2 В	TO-252	1000 мОм		Поверхностный	7 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-252	1100 мОм		Поверхностный	7 A
Planar	N	Одиночный	400 В	2 В	TO-220	350 мОм		Выводной	10 A
Planar	N	Одиночный	600 В	2 В	TO-220	650 мОм		Выводной	10 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-220	700 мОм		Выводной	10 A
Planar	N	Одиночный	1000 В	2 В	TO-220F	8800 мОм		Выводной	2 A
Planar	N	Одиночный	900 В	2,5 В	TO-220F	460 мОм	14 нКл	Выводной	2 A
Planar	N	Одиночный	1200 В	2,5 В	TO-220F	6000 мОм	17,5 нКл	Выводной	3 A
Planar	N	Одиночный	1000 В	2 В	TO-220F	2200 мОм		Выводной	4 A
Planar	N	Одиночный	430 В	2 В	TO-220F	1650 мОм		Выводной	4 A
Planar	N	Одиночный	800 В	2 В	TO-220F	3700 мОм		Выводной	4 A
Planar	N	Одиночный	900 В	2 В	TO-220F	3600 мОм		Выводной	4 A
Planar	N	Одиночный	1000 В	2,5 В	TO-220F	2000 мОм		Выводной	6 A

Начало 1 2 3 4 5 Конец

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.

Полевые транзисторы

Вопрос-ответ

Задать вопрос

Полевые транзисторы

Отображение колонок

Вопрос-ответ

Задать вопрос