Ваш город Эль-Монте?
Да
Нет, выбрать свой
Выбрано: 0
Показать
Всего товаров: 645
Товаров на странице:
Код заказа
Фото В корзину
Серия
Тип транзистора
Конфигурация
VDSS
Монтаж
Vth Typ
Корпус
Id
Pd
Vgd
Rdson@VGS10V
Rdson@VGS4,5V
Qg
Исполнение
Монтаж
Id
Код заказа
BSS138E
Array
(
    [ID] => 28980
    [NAME] => SUNCOYJ
    [URL] => /manufacturers/yj/
)
SUNCOYJ
BSS138KEJ
Array
(
    [ID] => 28980
    [NAME] => SUNCOYJ
    [URL] => /manufacturers/yj/
)
SUNCOYJ
BSS138KJ
Array
(
    [ID] => 28980
    [NAME] => SUNCOYJ
    [URL] => /manufacturers/yj/
)
SUNCOYJ
BSS138KWJ
Array
(
    [ID] => 28980
    [NAME] => SUNCOYJ
    [URL] => /manufacturers/yj/
)
SUNCOYJ
BSS138W
Array
(
    [ID] => 28980
    [NAME] => SUNCOYJ
    [URL] => /manufacturers/yj/
)
SUNCOYJ
BSS138X
Array
(
    [ID] => 28980
    [NAME] => SUNCOYJ
    [URL] => /manufacturers/yj/
)
SUNCOYJ
BSS84
Array
(
    [ID] => 28980
    [NAME] => SUNCOYJ
    [URL] => /manufacturers/yj/
)
SUNCOYJ
BSS84DW
Array
(
    [ID] => 28980
    [NAME] => SUNCOYJ
    [URL] => /manufacturers/yj/
)
SUNCOYJ
BSS84KDWJ
Array
(
    [ID] => 28980
    [NAME] => SUNCOYJ
    [URL] => /manufacturers/yj/
)
SUNCOYJ
BSS84KEJ
Array
(
    [ID] => 28980
    [NAME] => SUNCOYJ
    [URL] => /manufacturers/yj/
)
SUNCOYJ
BSS84KJ
Array
(
    [ID] => 28980
    [NAME] => SUNCOYJ
    [URL] => /manufacturers/yj/
)
SUNCOYJ
BSS84W
Array
(
    [ID] => 28980
    [NAME] => SUNCOYJ
    [URL] => /manufacturers/yj/
)
SUNCOYJ
PSA04N60B
Array
(
    [ID] => 688754
    [NAME] => PIP Semiconductor
    [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/
)
PIP Semiconductor
PSA04N65B
Array
(
    [ID] => 688754
    [NAME] => PIP Semiconductor
    [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/
)
PIP Semiconductor
PSA04N70B
Array
(
    [ID] => 688754
    [NAME] => PIP Semiconductor
    [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/
)
PIP Semiconductor
PSA05N60
Array
(
    [ID] => 688754
    [NAME] => PIP Semiconductor
    [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/
)
PIP Semiconductor
PSA05N65
Array
(
    [ID] => 688754
    [NAME] => PIP Semiconductor
    [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/
)
PIP Semiconductor
PSA07N65
Array
(
    [ID] => 688754
    [NAME] => PIP Semiconductor
    [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/
)
PIP Semiconductor
PSA10N60C
Array
(
    [ID] => 688754
    [NAME] => PIP Semiconductor
    [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/
)
PIP Semiconductor
PSA10N65C
Array
(
    [ID] => 688754
    [NAME] => PIP Semiconductor
    [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/
)
PIP Semiconductor
Фото В корзину
Серия
Тип транзистора
Конфигурация
VDSS
Монтаж
Vth Typ
Корпус
Id
Pd
Vgd
Rdson@VGS10V
Rdson@VGS4,5V
Qg
Исполнение
Монтаж
Id
Изображение отсутствует
BSS
N
Одиночный
50  В
1,2  В
SOT-523
0,32  Вт
±20  В
700  мОм
7800  мОм
1,7  нКл
Поверхностный
0,3  A
Изображение отсутствует
BSS
N
Одиночный
60  В
1,1  В
SOT-523
0,27  Вт
±20  В
1050  мОм
1200  мОм
1,4  нКл
Поверхностный
0,35  A
Изображение отсутствует
BSS
N
Одиночный
60  В
1,1  В
SOT-23
0,8  Вт
±20  В
1100  мОм
1250  мОм
1,4  нКл
Поверхностный
0,6  A
Изображение отсутствует
BSS
N
Одиночный
60  В
1,1  В
SOT-323
0,3  Вт
±20  В
1100  мОм
1250  мОм
1,4  нКл
Поверхностный
0,38  A
Изображение отсутствует
BSS
N
Одиночный
50  В
1,2  В
SOT-323
0,15  Вт
±20  В
1100  мОм
1200  мОм
1,7  нКл
Поверхностный
0,34  A
Изображение отсутствует
BSS
N
Сдвоенный
50  В
1,2  В
SOT-563
0,32  Вт
±20  В
700  мОм
7800  мОм
1,7  нКл
Поверхностный
0,3  A
Изображение отсутствует
BSS
P
Одиночный
-60  В
-1,4  В
SOT-23
0,35  Вт
±20  В
3300  мОм
3500  мОм
1,77  нКл
Поверхностный
-0,17  A
Изображение отсутствует
BSS
P
Сдвоенный
-60  В
-1,4  В
SOT-363
0,12  Вт
±20  В
3300  мОм
3500  мОм
1,77  нКл
Поверхностный
-0,15  A
Изображение отсутствует
BSS
P
Сдвоенный
-60  В
-1,5  В
SOT-363
0,41  Вт
±20  В
2200  мОм
2500  мОм
1,7  нКл
Поверхностный
-0,32  A
Изображение отсутствует
BSS
P
Одиночный
-60  В
-1,5  В
SOT-523
0,27  Вт
±20  В
2200  мОм
2500  мОм
1,7  нКл
Поверхностный
-0,26  A
Изображение отсутствует
BSS
P
Одиночный
-60  В
-1,5  В
SOT-23
0,5  Вт
±20  В
2200  мОм
2500  мОм
1,7  нКл
Поверхностный
-0,3  A
Изображение отсутствует
BSS
P
Одиночный
-60  В
-1,4  В
SOT-323
0,15  Вт
±20  В
3300  мОм
3500  мОм
1,77  нКл
Поверхностный
-0,17  A
Изображение отсутствует
Planar
N
Одиночный
600  В
2  В
TO-220F
2000  мОм
Выводной
4  A
Изображение отсутствует
Planar
N
Одиночный
650  В
2  В
TO-220F
230  мОм
Выводной
4  A
Изображение отсутствует
Planar
N
Одиночный
700  В
2  В
TO-220F
2600  мОм
Выводной
4  A
Изображение отсутствует
Planar
N
Одиночный
600  В
2  В
TO-220F
1750  мОм
Выводной
5  A
Изображение отсутствует
Planar
N
Одиночный
650  В
2  В
TO-220F
1850  мОм
Выводной
5  A
Изображение отсутствует
Planar
N
Одиночный
650  В
2  В
TO-220F
1100  мОм
Выводной
7  A
Изображение отсутствует
Planar
N
Одиночный
600  В
2  В
TO-220F
650  мОм
Выводной
10  A
Изображение отсутствует
Planar
N
Одиночный
650  В
2  В
TO-220F
700  мОм
Выводной
10  A
Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.

Вопрос-ответ