Полевые транзисторы FET, MOSFET

Всего товаров: 645

Товаров на странице:

Код заказа

Фото	В корзину	Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Монтаж	Vth Typ	Корпус	Id	Pd	Vgd	Rdson@VGS10V	Rdson@VGS4,5V	Qg	Исполнение	Монтаж	Id

Код заказа
PTA18N50 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA20N40B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA20N45 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA20N50A Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA20N60A Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA20N65A Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA20N70A* Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA22N60 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA22N65 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA25N50 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA26N65 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA28N45 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA28N50 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA30N45 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTA40N30* Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTB03N06NB Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTB03N120 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTB03N150 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTB10N80 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTB12N65 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor

Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Vth Typ	Корпус	Rdson@VGS10V	Qg	Монтаж	Id
Planar	N	Одиночный	500 В	2 В	TO-220F	280 мОм		Выводной	18 A
Planar	N	Одиночный	400 В	2 В	TO-220F	240 мОм		Выводной	20 A
Planar	N	Одиночный	450 В	2 В	TO-220F	240 мОм		Выводной	20 A
Planar	N	Одиночный	500 В	2 В	TO-220F	240 мОм		Выводной	20 A
Planar	N	Одиночный	600 В	2 В	TO-220F	320 мОм		Выводной	20 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-220F	350 мОм		Выводной	20 A
Planar	N	Одиночный	700 В	2 В	TO-220F	500 мОм		Выводной	20 A
Planar	N	Одиночный	600 В	2 В	TO-220F	300 мОм		Выводной	22 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-220F	350 мОм		Выводной	22 A
Planar	N	Одиночный	500 В	2 В	TO-220F	220 мОм		Выводной	25 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-220F	280 мОм		Выводной	26 A
Planar	N	Одиночный	450 В	2 В	TO-220F	170 мОм		Выводной	28 A
Planar	N	Одиночный	500 В	2 В	TO-220F	170 мОм		Выводной	28 A
Planar	N	Одиночный	450 В	2 В	TO-220F	140 мОм		Выводной	30 A
Planar	N	Одиночный	300 В	2 В	TO-220F	120 мОм	104 нКл	Выводной	40 A
Trench	N	Одиночный	60 В	2 В	TO-263	3,9 мОм	103 нКл	Поверхностный	150 A
Planar	N	Одиночный	1200 В	2,5 В	TO-263	6000 мОм	17,5 нКл	Поверхностный	3 A
Planar	N	Одиночный	1500 В	2,5 В	TO-263	5400 мОм	36 нКл	Поверхностный	3 A
Planar	N	Одиночный	800 В	2 В	TO-263	1000 мОм		Поверхностный	10 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-263	600 мОм		Поверхностный	12 A

Начало 4 5 6 7 8 Конец

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.

Полевые транзисторы

Вопрос-ответ

Задать вопрос

Полевые транзисторы

Отображение колонок

Вопрос-ответ

Задать вопрос