Статьи

Благодаря использованию STT-MRAM удается оптимизировать такие важные характеристики, как полезная площадь, производительность, долговечность, надежность и эксплуатационный период при одновременном уменьшении сложности систем и расширении функциональных возможностей.

В статье даны рекомендации относительно предпочтительных режимов пайки для различных типов корпусов, описаны тепловые профили разных технологий пайки.

Пошаговое руководство переноса проекта Xilinx Software Development Kit (SDK) на платформу Vitis Software Platform.

Память типа HBM2 представляет собой динамическую память, изготовленную в виде отдельных чипов, монтируемых в виде стека (одна микросхема над другой) внутри микросхемы FPGA и обеспечивает невероятную пропускную способность – 460 Гбайт/с.

Наша компания основана более 30 лет назад, в 1987 году. Сегодня «Winbond» принадлежат 23% мирового рынка последовательной флеш-памяти, лидер в сегменте полупроводниковых технологий хранения данных. Winbond располагает собственным производством пластин, наша фабрика находится на Тайване.

Рассказывает менеджер по продажам и маркетингу в регионе EMEA подразделения силовых компонентов компании Pulse Electronics А. Элиантонио.

Повышение эффективности путем использования высоковольтных SiC-диодов в повышающих преобразователях ККМ может применяться для увеличения выходной мощности и частоты переключения с целью снижения габаритов изделия или повышения его надежности. В то же время использование SiC-диодов Шоттки позволяет уменьшить EMI.