AC-DC конверторы
Всего товаров: 814
Товаров на странице:
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
|
PN
|
SOP-8
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
PN
|
SOP-8
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
PN
|
SOP-8
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
PN
|
SOP-7
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
PN
|
SOP-7
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
PN
|
SOP-7
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
PN
|
DIP-8
|
Выводной
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
PN
|
DIP-8
|
Выводной
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
PN
|
SOP-7
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
PN
|
SOP-7
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
PN
|
SOP-8
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
PN
|
DIP-8
|
Выводной
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
PN
|
SOP-8
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
PN
|
SOP-8
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
HiperTFS
|
eSIP-16B
|
Выводной
|
|
66 кГц
|
-40…+150 °С
|
193 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Forward, Дополнительный контроллер Flyback
|
|
|
|
|
HiperTFS
|
eSIP-16B
|
Выводной
|
|
66 кГц
|
-40…+150 °С
|
236 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Forward, Дополнительный контроллер Flyback
|
|
|
|
|
HiperTFS
|
eSIP-16B
|
Выводной
|
|
66 кГц
|
-40…+150 °С
|
280 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Forward, Дополнительный контроллер Flyback
|
|
|
|
|
HiperTFS
|
eSIP-16B
|
Выводной
|
|
66 кГц
|
-40…+150 °С
|
305 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Forward, Дополнительный контроллер Flyback
|
|
|
|
|
HiperTFS
|
eSIP-16B
|
Выводной
|
|
66 кГц
|
-40…+150 °С
|
326 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Forward, Дополнительный контроллер Flyback
|
|
|
|
|
HiperTFS
|
eSIP-16B
|
Выводной
|
|
66 кГц
|
-40…+150 °С
|
360 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Forward, Дополнительный контроллер Flyback
|
|
Настройки
Отображение колонок
Микросхемы управления AC-DC питанием с интергрированным силовым транзистором.
Новости
29 июля 2019
Новые микросхемы позволяют достичь эффективности 95% во всем диапазоне нагрузок и получить максимальную мощность до 100 Вт в закрытом корпусе без радиаторов. Такой прорыв в развитии источников питания стал возможен благодаря использованию встроенного высоковольтного транзистора, изготовленного по технологии GaN.