AC-DC конверторы
Всего товаров: 814
Товаров на странице:
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
|
TOPSwitch-JX
|
eSOP-12
|
SMD/SMT
|
|
132 кГц
|
-40…+150 °С
|
50 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
6,88 A
|
 |
|
TOPSwitch-JX
|
DIP-12
|
Through Hole
|
|
132 кГц
|
-40…+150 °С
|
112 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
6,88 A
|
 |
|
TOPSwitch-JX
|
eSIP-7C
|
Through Hole
|
|
132 кГц
|
-40…+150 °С
|
120 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
7,73 A
|
 |
|
TOPSwitch-JX
|
eSOP-12
|
SMD/SMT
|
|
132 кГц
|
-40…+150 °С
|
55 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
7,73 A
|
|
|
|
TOPSwitch-JX
|
eSOP-12
|
SMD/SMT
|
|
132 кГц
|
-40…+150 °С
|
55 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
7,73 A
|
|
|
|
TOPSwitch-JX
|
DIP-12
|
Through Hole
|
|
132 кГц
|
-40…+150 °С
|
120 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
7,73 A
|
|
|
|
TOPSwitch-JX
|
eSIP-7C
|
Through Hole
|
|
132 кГц
|
-40…+150 °С
|
140 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
9 A
|
|
|
|
TOPSwitch-JX
|
eSOP-12
|
SMD/SMT
|
|
132 кГц
|
-40…+150 °С
|
60 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
9 A
|
|
|
|
TOPSwitch-JX
|
eSOP-12
|
SMD/SMT
|
|
132 кГц
|
-40…+150 °С
|
60 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
9 A
|
|
|
|
TOPSwitch-JX
|
DIP-12
|
Through Hole
|
|
132 кГц
|
-40…+150 °С
|
140 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
9 A
|
|
|
|
TOPSwitch-JX
|
eSIP-7C
|
Through Hole
|
|
132 кГц
|
-40…+150 °С
|
177 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
11,1 A
|
|
|
|
TOPSwitch-JX
|
eSOP-12
|
SMD/SMT
|
|
132 кГц
|
-40…+150 °С
|
66 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
11,1 A
|
|
|
|
TOPSwitch-JX
|
eSOP-12
|
SMD/SMT
|
|
132 кГц
|
-40…+150 °С
|
66 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
11,1 A
|
|
|
|
TOPSwitch-JX
|
DIP-12
|
Through Hole
|
|
132 кГц
|
-40…+150 °С
|
177 Вт
|
725 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
11,1 A
|
Настройки
Отображение колонок
Микросхемы управления AC-DC питанием с интергрированным силовым транзистором.
Новости
29 июля 2019
Новые микросхемы позволяют достичь эффективности 95% во всем диапазоне нагрузок и получить максимальную мощность до 100 Вт в закрытом корпусе без радиаторов. Такой прорыв в развитии источников питания стал возможен благодаря использованию встроенного высоковольтного транзистора, изготовленного по технологии GaN.