AC-DC конверторы
Всего товаров: 814
Товаров на странице:
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
|
AP
|
SOP-8
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
AP
|
DIP-8
|
Выводной
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
AP
|
SOP-8
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
AP
|
DIP-8
|
Выводной
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
AP
|
SOP-8
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
AP
|
DIP-8
|
Выводной
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
AP
|
DIP-8
|
Выводной
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
AP
|
DIP-8
|
Выводной
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
AP
|
SOT-23-6
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
AP
|
SOT-23-6
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
AP
|
SOT-23-6
|
Поверхностный
|
|
|
-40…150 °С
|
|
|
|
|
|
 |
|
InnoSwitch-CH
|
eSOP-R16B
|
SMD/SMT
|
|
100 кГц
|
-40…+150 °С
|
12 Вт
|
650 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
1,2 A
|
|
|
|
InnoSwitch-CH
|
eSOP-R16B
|
SMD/SMT
|
|
100 кГц
|
-40…+150 °С
|
12 Вт
|
650 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
1,2 A
|
|
|
|
InnoSwitch-CH
|
eSOP-R16B
|
SMD/SMT
|
|
100 кГц
|
-40…+150 °С
|
15 Вт
|
650 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
1,36 A
|
|
|
|
InnoSwitch-CH
|
eSOP-R16B
|
SMD/SMT
|
|
100 кГц
|
-40…+150 °С
|
15 Вт
|
650 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
1,36 A
|
 |
|
InnoSwitch-CH
|
eSOP-R16B
|
SMD/SMT
|
|
100 кГц
|
-40…+150 °С
|
20 Вт
|
650 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
1,68 A
|
|
|
|
InnoSwitch-CH
|
eSOP-R16B
|
SMD/SMT
|
|
100 кГц
|
-40…+150 °С
|
20 Вт
|
650 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
1,68 A
|
|
|
|
InnoSwitch-CH
|
eSOP-R16B
|
SMD/SMT
|
|
100 кГц
|
-40…+150 °С
|
12 Вт
|
650 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
1,2 A
|
|
|
|
InnoSwitch-CH
|
eSOP-R16B
|
SMD/SMT
|
|
100 кГц
|
-40…+150 °С
|
12 Вт
|
650 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
1,2 A
|
|
|
|
InnoSwitch-CH
|
eSOP-R16B
|
SMD/SMT
|
|
100 кГц
|
-40…+150 °С
|
15 Вт
|
650 В
|
85…265 В
|
Flyback
|
1,36 A
|
Настройки
Отображение колонок
Микросхемы управления AC-DC питанием с интергрированным силовым транзистором.
Новости
29 июля 2019
Новые микросхемы позволяют достичь эффективности 95% во всем диапазоне нагрузок и получить максимальную мощность до 100 Вт в закрытом корпусе без радиаторов. Такой прорыв в развитии источников питания стал возможен благодаря использованию встроенного высоковольтного транзистора, изготовленного по технологии GaN.