SiC диоды Шоттки
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
A3D
|
1200 В SiC SBD
|
1200 В
|
20 А
|
Gen 3
|
1,4 В
|
93 нКл
|
250 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
|
|
|
A3D
|
1200 В SiC SBD
|
1200 В
|
20 А
|
Gen 3+
|
1,35 В
|
93 нКл
|
250 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
|
|
|
A3D
|
1200 В SiC SBD
|
1200 В
|
20 А
|
Gen 3+
|
1,35 В
|
93 нКл
|
250 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
|
|
|
A3D
|
1700 В SiC SBD
|
1700 В
|
20 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
200 нКл
|
333 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
|
|
|
A3D
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
30 А
|
Gen 3
|
1,3 В
|
44 нКл
|
246 Вт
|
TO-247-3
|
Да
|
|
|
|
A3D
|
1200 В SiC SBD
|
1200 В
|
30 А
|
Gen 3
|
1,4 В
|
152 нКл
|
405 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
|
|
|
A3D
|
1200 В SiC SBD
|
1200 В
|
30 А
|
Gen 3+
|
1,35 В
|
135 нКл
|
330 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
|
|
|
A3D
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
30 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
34 нКл
|
376 Вт
|
TO-247-3
|
Да
|
|
|
|
A3D
|
1700 В SiC SBD
|
1700 В
|
30 А
|
Gen 3
|
1,5 В
|
275 нКл
|
455 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
|
|
|
A3D
|
1200 В SiC SBD
|
1200 В
|
30 А
|
Gen 3+
|
1,35 В
|
135 нКл
|
330 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
|
|
|
A3D
|
1200 В SiC SBD
|
1200 В
|
40 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
93 нКл
|
536 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
|
|
|
A3D
|
1200 В SiC SBD
|
1200 В
|
40 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
93 нКл
|
577 Вт
|
TO-247-3
|
Да
|
|
|
|
A3D
|
900 В SiC SBD
|
900 В
|
42 А
|
Gen 3
|
1,4 В
|
145 нКл
|
250 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
|
|
|
A4D
|
1200 В SiC SBD
|
1200 В
|
50 А
|
Gen 4
|
1,38 В
|
260 нКл
|
454 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
|
|
|
A5D
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
6 А
|
Gen 5
|
1,45 В
|
14 нКл
|
60 Вт
|
DFN 5x6
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
6 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
15 нКл
|
68 Вт
|
TO-220-2
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
6 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
15 нКл
|
68 Вт
|
DFN 8x8
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
6 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
15 нКл
|
68 Вт
|
TO-220F
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
10 А
|
Gen 3
|
1,25 В
|
34 нКл
|
136 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
10 А
|
Gen 3
|
1,25 В
|
34 нКл
|
136 Вт
|
TO-220-2
|
Да
|
Отображение колонок
- Более высокая эффективность и производительность
- Суммарные потери значительно меньше
- Более высокое быстродействие
- Более высокая радиационная стойкость
Прямое сравнение Si и SiC модулей по току не является корректным, так как требуется учитывать все "параметры" - общие потери модуля, его быстродействие, размер и стоимость системы охлаждения, надёжность модуля в конкретных условиях эксплуатации. Поэтому для сравнения принята условная единица - удельная стоимость киловатта мощности прибора (в долларах за киловатт, $/кВт).
На данный момент SiC MOSFET модули дороже "обычных" IGBT, если сравнивать "в лоб". Однако при комплексной оценке стоимости устройства на его основе видно, что они уже достигли своей экономической состоятельности и могут применяться в реальных изделиях.
Новости
Компания Global Power Technology анонсировала семейство SiC диодов Шоттки 33 класса в корпусах ТО и кристаллы.
Компания Wolfspeed выпустила новый SiC МОП транзистор на напряжение 1200 В, 75 мОм, с током 30 А. Транзистор C3M0075120K призводится в оптимизированном четырехвыводном корпусе TO-247-4, с отдельным контактом управления истоком.
Wolfspeed выпустила полу-мостовой силовой All-SiC-модуль 1,2 кВ, 3,6 мОм в ультра-компактном корпусе. Новый прибор имеет значение модуля индуктивности 5,5 нГн, что на 66% меньше по сравнению с конкурирующими силовыми модулями.
Компания Cree будет осуществлять корпусирование дискретных диодов Шоттки на фабрике компании Diodes, Inc, расположенном в Китае. Перевод затронет приборы в корпусах TO-220, TO-252 (DPAK), TO-263 (D2PAK). Данное изменение имеет цель стабилизировать сроки поставки и расширить список производственных партнеров.
Компания Cree Power Products анонсировала выпуск транзисторов на карбиде кремния C2M0040120D с запирающим напряжением VDS 1200 В и сопротивлением в открытом состоянии RDS[on] 40 мОм.
Статьи
В статье рассмотрены особенности оптронов для управления затвором транзисторов компании Avago Technologies, используемых для надежного управления и защиты карбидокремниевых MOSFET, которые находят все более широкое применение на рынке силовых полупроводников.