SiC диоды Шоттки
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
|
A4G
|
650V SiC SBD
|
650 В
|
8 А
|
GEN 4
|
1,27 В
|
|
107 Вт
|
TO-220C-2L
|
Да
|
 |
|
A4G
|
650V SiC SBD
|
650 В
|
8 А
|
GEN 4
|
1,27 В
|
|
27 Вт
|
TO-220FM
|
Да
|
|
|
A5D
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
6 А
|
Gen 5
|
1,45 В
|
14 нКл
|
60 Вт
|
DFN 5x6
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
6 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
15 нКл
|
68 Вт
|
TO-220-2
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
6 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
15 нКл
|
68 Вт
|
DFN 8x8
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
6 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
15 нКл
|
68 Вт
|
TO-220F
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
10 А
|
Gen 3
|
1,25 В
|
34 нКл
|
136 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
10 А
|
Gen 3
|
1,25 В
|
34 нКл
|
136 Вт
|
TO-220-2
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
10 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
23 нКл
|
94 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
10 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
23 нКл
|
94 Вт
|
TO-220-2
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
10 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
23 нКл
|
94 Вт
|
TO-263-2
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
10 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
23 нКл
|
94 Вт
|
TO-252-2
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
10 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
23 нКл
|
94 Вт
|
DFN 8x8
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
10 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
23 нКл
|
94 Вт
|
TO-220F
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
15 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
34 нКл
|
136 Вт
|
TO-220-2
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
20 А
|
Gen 3
|
1,25 В
|
34 нКл
|
230 Вт
|
TO-247-3
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
20 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
23 нКл
|
188 Вт
|
TO-247-3
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
20 А
|
Gen 3
|
1,5 В
|
44 нКл
|
176 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
650 В SiC SBD
|
650 В
|
20 А
|
Gen 3
|
1,5 В
|
44 нКл
|
176 Вт
|
TO-220-2
|
Да
|
|
|
|
ACD
|
1200 В SiC SBD
|
1200 В
|
20 А
|
Gen 3
|
1,45 В
|
93 нКл
|
250 Вт
|
TO-247-2
|
Да
|
Отображение колонок
SiC диоды Шоттки — это высокопроизводительные полупроводниковые приборы, выполненные на основе карбида кремния (SiC). Благодаря уникальным физическим свойствам материала, такие диоды обеспечивают значительно более высокую эффективность, термостойкость и скорость переключения по сравнению с традиционными кремниевыми аналогами.
SiC диоды Шоттки идеально подходят для применения в мощных и компактных электронных системах, включая источники питания, инверторы солнечных станций, электромобили, промышленные приводы и другие устройства, где критичны энергоэффективность, надежность и компактность.
Новости
Компания Global Power Technology анонсировала семейство SiC диодов Шоттки 33 класса в корпусах ТО и кристаллы.
Компания Wolfspeed выпустила SiC-МОП транзистор 1200 В, 32 мОм, 63 А в корпусе TO-247-4 – C3M0032120K.
Компания Wolfspeed выпустила новый SiC МОП транзистор на напряжение 1200 В, 75 мОм, с током 30 А. Транзистор C3M0075120K призводится в оптимизированном четырехвыводном корпусе TO-247-4, с отдельным контактом управления истоком.
Wolfspeed выпустила полу-мостовой силовой All-SiC-модуль 1,2 кВ, 3,6 мОм в ультра-компактном корпусе. Новый прибор имеет значение модуля индуктивности 5,5 нГн, что на 66% меньше по сравнению с конкурирующими силовыми модулями.
Компания Cree будет осуществлять корпусирование дискретных диодов Шоттки на фабрике компании Diodes, Inc, расположенном в Китае. Перевод затронет приборы в корпусах TO-220, TO-252 (DPAK), TO-263 (D2PAK). Данное изменение имеет цель стабилизировать сроки поставки и расширить список производственных партнеров.
Компания Cree Power Products анонсировала выпуск транзисторов на карбиде кремния C2M0040120D с запирающим напряжением VDS 1200 В и сопротивлением в открытом состоянии RDS[on] 40 мОм.
Статьи
В статье рассмотрены особенности оптронов для управления затвором транзисторов компании Avago Technologies, используемых для надежного управления и защиты карбидокремниевых MOSFET, которые находят все более широкое применение на рынке силовых полупроводников.