Полевые транзисторы
Всего товаров: 645
Товаров на странице:
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
YJS
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
2,8 В
|
SOP-8
|
|
3,8 Вт
|
±20 В
|
8 мОм
|
|
32 нКл
|
|
Поверхностный
|
15 A
|
|
|
|
YJS
|
N
|
Одиночный
|
30 В
|
|
1,5 В
|
SOP-8
|
|
3 Вт
|
±20 В
|
4,5 мОм
|
6,6 мОм
|
46,3 нКл
|
|
Поверхностный
|
18 A
|
|
|
|
YJS
|
P
|
Одиночный
|
-20 В
|
|
-0,62 В
|
SOP-8
|
|
3 Вт
|
±10 В
|
|
10 мОм
|
72,8 нКл
|
|
Поверхностный
|
-13 A
|
|
|
|
YJS
|
P
|
Сдвоенный
|
-20 В
|
|
-0,62 В
|
SOT-23-6L
|
|
1,2 Вт
|
±10 В
|
|
42 мОм
|
5,41 нКл
|
|
Поверхностный
|
-3,7 A
|
|
|
|
YJS
|
P
|
Одиночный
|
-20 В
|
|
-0,62 В
|
SOT-23-6L
|
|
1,2 Вт
|
±10 В
|
|
27 мОм
|
10,98 нКл
|
|
Поверхностный
|
-5,4 A
|
|
|
|
YJS
|
N/P
|
Сдвоенный
|
20 -20 В
|
|
0,62 -0,62 В
|
SOT-23-6L
|
|
1,3 Вт
|
±10 В
|
|
19,5…49 мОм
|
6,05 5,41 нКл
|
|
Поверхностный
|
5,6 -3,7 A
|
|
|
|
YJS
|
N
|
Сдвоенный
|
30 В
|
|
1,5 В
|
SOP-8
|
|
2,5 Вт
|
±20 В
|
14 мОм
|
23 мОм
|
12,22 нКл
|
|
Поверхностный
|
8,5 A
|
|
|
|
YJS
|
P
|
Одиночный
|
-30 В
|
|
-1,8 В
|
SOP-8
|
|
3,2 Вт
|
±25 В
|
9,3 мОм
|
13,8 мОм
|
40,1 нКл
|
|
Поверхностный
|
-12 A
|
|
|
|
YJS
|
P
|
Одиночный
|
-30 В
|
|
-1,5 В
|
SOP-8
|
|
2 Вт
|
±20 В
|
9 мОм
|
12 мОм
|
37 нКл
|
|
Поверхностный
|
-12 A
|
|
|
|
YJS
|
P
|
Одиночный
|
-30 В
|
|
-1,5 В
|
SOP-8
|
|
3,4 Вт
|
±25 В
|
5,1 мОм
|
7,5 мОм
|
77,2 нКл
|
|
Поверхностный
|
-18 A
|
|
|
|
YJS
|
P
|
Одиночный
|
-30 В
|
|
-1,5 В
|
SOP-8
|
|
3 Вт
|
±20 В
|
15,3 мОм
|
20,8 мОм
|
28,7 нКл
|
|
Поверхностный
|
-10 A
|
|
|
|
YJS
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
1,5 В
|
SOP-8
|
|
3,1 Вт
|
±20 В
|
14,5 мОм
|
17 мОм
|
51 нКл
|
|
Поверхностный
|
8,2 A
|
|
|
|
YJS
|
P
|
Одиночный
|
-30 В
|
|
-1,8 В
|
SOP-8
|
|
3,4 Вт
|
±25 В
|
5 мОм
|
6,9 мОм
|
111,7 нКл
|
|
Поверхностный
|
-18 A
|
|
|
|
YJS
|
N/P
|
Сдвоенный
|
30 -30 В
|
|
1,5 -1,5 В
|
SOP-8
|
|
2 Вт
|
±20 В
|
14 35 мОм
|
23…49 мОм
|
12,22 14,23 нКл
|
|
Поверхностный
|
6,0 -5,0 A
|
|
|
|
YJS
|
P
|
Сдвоенный
|
-30 В
|
|
-1,5 В
|
SOP-8
|
|
2,5 Вт
|
±20 В
|
30 мОм
|
46 мОм
|
14,23 нКл
|
|
Поверхностный
|
-5,1 A
|
|
|
|
YJS
|
P
|
Сдвоенный
|
-30 В
|
|
-1,5 В
|
SOP-8
|
|
3 Вт
|
±20 В
|
18,5 мОм
|
24,5 мОм
|
28,7 нКл
|
|
Поверхностный
|
-10 A
|
|
|
|
YJS
|
N
|
Сдвоенный
|
20 В
|
|
0,62 В
|
SOT-23-6L
|
|
1,25 Вт
|
±10 В
|
|
19,5 мОм
|
6,05 нКл
|
|
Поверхностный
|
5,5 A
|
|
|
|
YJS
|
N
|
Сдвоенный
|
20 В
|
|
0,62 В
|
SOT-23-6L
|
|
1,5 Вт
|
±10 В
|
|
13 мОм
|
11,05 нКл
|
|
Поверхностный
|
7 A
|
|
|
|
YJS
|
P
|
Одиночный
|
-30 В
|
|
-1,5 В
|
SOP-8
|
|
2,5 Вт
|
±20 В
|
30 мОм
|
46 мОм
|
14,23 нКл
|
|
Поверхностный
|
-5,1 A
|
|
|
|
YJS
|
P
|
Сдвоенный
|
-100 В
|
|
-1,7 В
|
SOP-8
|
|
1,3 Вт
|
±20 В
|
85 мОм
|
95 мОм
|
20 нКл
|
|
Поверхностный
|
-3 A
|
Настройки
Отображение колонок
Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.