Полевые транзисторы
Всего товаров: 645
Товаров на странице:
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
YJQ
|
N
|
Одиночный
|
30 В
|
|
1,5 В
|
DFN3333
|
|
75 Вт
|
±20 В
|
2,6 мОм
|
3,4 мОм
|
92,7 нКл
|
|
Поверхностный
|
60 A
|
|
|
|
YJQ
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
1,7 В
|
DFN3333
|
|
45 Вт
|
±20 В
|
5,8 мОм
|
7,3 мОм
|
34 нКл
|
|
Поверхностный
|
62 A
|
|
|
|
YJQ
|
N
|
Сдвоенный
|
30 В
|
|
1,5 В
|
DFN3333
|
|
12 Вт
|
±20 В
|
12,5 мОм
|
24,5 мОм
|
45,3 нКл
|
|
Поверхностный
|
12 A
|
|
|
|
YJQ
|
N
|
Сдвоенный
|
40 В
|
|
1,5 В
|
DFN3333
|
|
21 Вт
|
±20 В
|
14,5 мОм
|
18 мОм
|
23,6 нКл
|
|
Поверхностный
|
25 A
|
|
|
|
YJQ
|
P
|
Сдвоенный
|
-20 В
|
|
-0,62 В
|
DFN3333
|
|
21 Вт
|
±10 В
|
|
11 мОм
|
72,8 нКл
|
|
Поверхностный
|
-30 A
|
|
|
|
YJR
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
1,5 В
|
TO-251
|
|
28 Вт
|
±20 В
|
29 мОм
|
31 мОм
|
26 нКл
|
|
Выводной
|
20 A
|
|
|
|
YJS
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,8 В
|
SOT-23-6L
|
|
1,5 Вт
|
±20 В
|
95 мОм
|
100 мОм
|
26 нКл
|
|
Поверхностный
|
3 A
|
|
|
|
YJS
|
N/P
|
Сдвоенный
|
100 -100 В
|
|
1,8 -1,7 В
|
SOP-8
|
|
1,5 1,3 Вт
|
±20 В
|
21 85 мОм
|
24…95 мОм
|
16 20,1 нКл
|
|
Поверхностный
|
5 -3 A
|
|
|
|
YJS
|
P
|
Одиночный
|
-100 В
|
|
-1,8 В
|
SOP-8
|
|
3,1 Вт
|
±20 В
|
83 мОм
|
95 мОм
|
20 нКл
|
|
Поверхностный
|
-4,5 A
|
|
|
|
YJS
|
N
|
Сдвоенный
|
60 В
|
|
1,5 В
|
SOP-8
|
|
3,1 Вт
|
±20 В
|
35 мОм
|
39 мОм
|
26 нКл
|
|
Поверхностный
|
5 A
|
|
|
|
YJS
|
P
|
Одиночный
|
-60 В
|
|
-1,8 В
|
SOP-8
|
|
3,1 Вт
|
±20 В
|
35 мОм
|
45 мОм
|
18,7 нКл
|
|
Поверхностный
|
-5,9 A
|
|
|
|
YJS
|
N/P
|
Сдвоенный
|
30 -30 В
|
|
1,5 -1,5 В
|
SOP-8
|
|
1,9 1,9 Вт
|
±20 В
|
14 18 мОм
|
23…25 мОм
|
12,22 28,5 нКл
|
|
Поверхностный
|
7,0 -7,0 A
|
|
|
|
YJS
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
1,85 В
|
SOP-8
|
|
2,5 Вт
|
±20 В
|
8,5 мОм
|
11 мОм
|
26 нКл
|
|
Поверхностный
|
10 A
|
|
|
|
YJS
|
N
|
Одиночный
|
20 В
|
|
0,62 В
|
SOP-8
|
|
1,9 Вт
|
±10 В
|
|
11 мОм
|
11,05 нКл
|
|
Поверхностный
|
10 A
|
|
|
|
YJS
|
N
|
Одиночный
|
40 В
|
|
1,5 В
|
SOP-8
|
|
3 Вт
|
±20 В
|
12,5 мОм
|
15,5 мОм
|
23,6 нКл
|
|
Поверхностный
|
10 A
|
|
|
|
YJS
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
1,7 В
|
SOP-8
|
|
3,1 Вт
|
±20 В
|
6,8 мОм
|
8,3 мОм
|
34 нКл
|
|
Поверхностный
|
12 A
|
|
|
|
YJS
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
2,8 В
|
SOP-8
|
|
3,1 Вт
|
±20 В
|
14,5 мОм
|
|
16 нКл
|
|
Поверхностный
|
12 A
|
|
|
|
YJS
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,9 В
|
SOP-8
|
|
4,1 Вт
|
±20 В
|
14,5 мОм
|
18 мОм
|
32 нКл
|
|
Поверхностный
|
12 A
|
|
|
|
YJS
|
N
|
Одиночный
|
30 В
|
|
1,5 В
|
SOP-8
|
|
2,5 Вт
|
±20 В
|
7 мОм
|
11 мОм
|
23,6 нКл
|
|
Поверхностный
|
12 A
|
|
|
|
YJS
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,8 В
|
SOP-8
|
|
3,8 Вт
|
±20 В
|
8 мОм
|
9,7 мОм
|
32 нКл
|
|
Поверхностный
|
15 A
|
Настройки
Отображение колонок
Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.