Полевые транзисторы
Всего товаров: 645
Товаров на странице:
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
YJQ
|
N
|
Одиночный
|
40 В
|
|
1,5 В
|
DFN3333
|
|
21 Вт
|
±20 В
|
11 мОм
|
14,3 мОм
|
23,6 нКл
|
|
Поверхностный
|
20 A
|
|
|
|
YJQ
|
P
|
Одиночный
|
-30 В
|
|
-1,5 В
|
DFN3333
|
|
21 Вт
|
±20 В
|
13,5 мОм
|
20 мОм
|
28,7 нКл
|
|
Поверхностный
|
-20 A
|
|
|
|
YJQ
|
P
|
Сдвоенный
|
-20 В
|
|
-0,62 В
|
DFN2020-6L
|
|
1,3 Вт
|
±10 В
|
|
42 мОм
|
5,41 нКл
|
|
Поверхностный
|
-4 A
|
|
|
|
YJQ
|
P
|
Одиночный
|
-60 В
|
|
-1,8 В
|
DFN3333
|
|
43 Вт
|
±20 В
|
35 мОм
|
45 мОм
|
18,7 нКл
|
|
Поверхностный
|
-22,5 A
|
|
|
|
YJQ
|
N
|
Одиночный
|
30 В
|
|
1,5 В
|
DFN3333
|
|
17 Вт
|
±20 В
|
5,8 мОм
|
10 мОм
|
23,6 нКл
|
|
Поверхностный
|
30 A
|
|
|
|
YJQ
|
P
|
Одиночный
|
-30 В
|
|
-1,5 В
|
DFN2020-6L
|
|
2,2 Вт
|
±20 В
|
34 мОм
|
49 мОм
|
11,65 нКл
|
|
Поверхностный
|
-5,5 A
|
|
|
|
YJQ
|
N
|
Одиночный
|
40 В
|
|
1,5 В
|
DFN3333
|
|
40 Вт
|
±20 В
|
6,5 мОм
|
8,7 мОм
|
46,7 нКл
|
|
Поверхностный
|
35 A
|
|
|
|
YJQ
|
N/P
|
Сдвоенный
|
30 -30 В
|
|
1,5 -1,5 В
|
DFN3333
|
|
25 22 Вт
|
±20 В
|
23 35 мОм
|
40…49 мОм
|
6,08 14,23 нКл
|
|
Поверхностный
|
20 -17 A
|
|
|
|
YJQ
|
N
|
Сдвоенный
|
30 В
|
|
1,5 В
|
DFN3333
|
|
21 Вт
|
±20 В
|
7,5 мОм
|
11,5 мОм
|
23,6 нКл
|
|
Поверхностный
|
30 A
|
|
|
|
YJQ
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,8 В
|
DFN3333
|
|
43 Вт
|
±20 В
|
15 мОм
|
18 мОм
|
16 нКл
|
|
Поверхностный
|
40 A
|
|
|
|
YJQ
|
P
|
Одиночный
|
-30 В
|
|
-1,8 В
|
DFN3333
|
|
32 Вт
|
±25 В
|
9,8 мОм
|
15,5 мОм
|
40,1 нКл
|
|
Поверхностный
|
-40 A
|
|
|
|
YJQ
|
P
|
Одиночный
|
-30 В
|
|
-1,5 В
|
DFN3333
|
|
50 Вт
|
±20 В
|
9 мОм
|
12 мОм
|
37 нКл
|
|
Поверхностный
|
-40 A
|
|
|
|
YJQ
|
N/P
|
Сдвоенный
|
30 -30 В
|
|
1,5 -1,5 В
|
DFN3333
|
|
27 22 Вт
|
±20 В
|
15 36 мОм
|
23…49 мОм
|
12,22 14,23 нКл
|
|
Поверхностный
|
28 -17 A
|
|
|
|
YJQ
|
P
|
Одиночный
|
-20 В
|
|
-0,62 В
|
DFN2020-6L
|
|
2,2 Вт
|
±10 В
|
|
24,5 мОм
|
40,1 нКл
|
|
Поверхностный
|
-7 A
|
|
|
|
YJQ
|
N
|
Одиночный
|
20 В
|
|
0,62 В
|
DFN3333
|
|
21 Вт
|
±10 В
|
|
4,5 мОм
|
27,9 нКл
|
|
Поверхностный
|
47 A
|
|
|
|
YJQ
|
N
|
Одиночный
|
30 В
|
|
1,5 В
|
DFN3333
|
|
35 Вт
|
±20 В
|
4,9 мОм
|
5,9 мОм
|
54 нКл
|
|
Поверхностный
|
50 A
|
|
|
|
YJQ
|
N
|
Одиночный
|
30 В
|
|
1,5 В
|
DFN3333
|
|
25 Вт
|
±20 В
|
3,9 мОм
|
6 мОм
|
46,3 нКл
|
|
Поверхностный
|
50 A
|
|
|
|
YJQ
|
N
|
Одиночный
|
40 В
|
|
1,5 В
|
DFN3333
|
|
50 Вт
|
±20 В
|
3,3 мОм
|
4,5 мОм
|
92 нКл
|
|
Поверхностный
|
50 A
|
|
|
|
YJQ
|
P
|
Одиночный
|
-30 В
|
|
-1,8 В
|
DFN3333
|
|
75 Вт
|
±25 В
|
5 мОм
|
6,9 мОм
|
111,7 нКл
|
|
Поверхностный
|
-50 A
|
|
|
|
YJQ
|
P
|
Одиночный
|
-20 В
|
|
-0,62 В
|
DFN3333
|
|
38 Вт
|
±10 В
|
|
6,5 мОм
|
149 нКл
|
|
Поверхностный
|
-55 A
|
Настройки
Отображение колонок
Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.