Полевые транзисторы
Всего товаров: 645
Товаров на странице:
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,8 В
|
PDFN5060
|
|
88 Вт
|
±20 В
|
7,5 мОм
|
9 мОм
|
32 нКл
|
|
Поверхностный
|
60 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
1,7 В
|
PDFN5060
|
|
60 Вт
|
±20 В
|
5,3 мОм
|
6,9 мОм
|
34 нКл
|
|
Поверхностный
|
70 A
|
|
|
|
YJG
|
P
|
Одиночный
|
-30 В
|
|
-1,8 В
|
PDFN5060
|
|
89 Вт
|
±25 В
|
4 мОм
|
6 мОм
|
111,7 нКл
|
|
Поверхностный
|
-70 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
1,7 В
|
PDFN5060
|
|
96 Вт
|
±20 В
|
3 мОм
|
3,9 мОм
|
66 нКл
|
|
Поверхностный
|
80 A
|
|
|
|
YJG
|
P
|
Одиночный
|
-60 В
|
|
-2,7 В
|
PDFN5060
|
|
120 Вт
|
±18 В
|
6,5 мОм
|
|
82 нКл
|
|
Поверхностный
|
-80 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
1,6 В
|
PDFN5060
|
|
110 Вт
|
±20 В
|
2,9 мОм
|
3,8 мОм
|
70,78 нКл
|
|
Поверхностный
|
85 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
120 В
|
|
2 В
|
PDFN5060
|
|
120 Вт
|
±20 В
|
6,4 мОм
|
7,6 мОм
|
72 нКл
|
|
Поверхностный
|
88 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
120 В
|
|
3,2 В
|
PDFN5060
|
|
104 Вт
|
±20 В
|
7 мОм
|
|
80 нКл
|
|
Поверхностный
|
88 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,8 В
|
PDFN5060
|
|
120 Вт
|
±20 В
|
4,1 мОм
|
5,7 мОм
|
66 нКл
|
|
Поверхностный
|
90 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
2,8 В
|
PDFN5060
|
|
120 Вт
|
±20 В
|
4,3 мОм
|
|
66 нКл
|
|
Поверхностный
|
90 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
1,6 В
|
PDFN5060
|
|
120 Вт
|
±20 В
|
2,1 мОм
|
2,7 мОм
|
93 нКл
|
|
Поверхностный
|
95 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
2,8 В
|
PDFN5060
|
|
120 Вт
|
±20 В
|
2,25 мОм
|
|
93 нКл
|
|
Поверхностный
|
95 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
85 В
|
|
3,2 В
|
PDFN5060
|
|
110 Вт
|
±20 В
|
5 мОм
|
|
63 нКл
|
|
Поверхностный
|
98 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Сдвоенный
|
100 В
|
|
1,8 В
|
DFN5060-8L
|
|
17 Вт
|
±20 В
|
17 мОм
|
21 мОм
|
16 нКл
|
|
Поверхностный
|
20 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Сдвоенный
|
30 В
|
|
1,5 В
|
DFN5060-8L
|
|
21 Вт
|
±20 В
|
7,2 мОм
|
11 мОм
|
23,6 нКл
|
|
Поверхностный
|
40 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Сдвоенный
|
30 В
|
|
1,6 В
|
DFN5060-8L
|
|
100 Вт
|
±20 В
|
6,5 мОм
|
9 мОм
|
46 нКл
|
|
Поверхностный
|
45 A
|
|
|
|
YJH
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
1,3 В
|
SOT-89
|
|
0,69 Вт
|
±20 В
|
86 мОм
|
92 мОм
|
10,27 нКл
|
|
Поверхностный
|
3 A
|
|
|
|
YJH
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
0,95 В
|
SOT-89
|
|
1,7 Вт
|
±16 В
|
86 мОм
|
90 мОм
|
13,8 нКл
|
|
Поверхностный
|
3,5 A
|
|
|
|
YJH
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,8 В
|
SOT-89
|
|
1,5 Вт
|
±20 В
|
95 мОм
|
100 мОм
|
26 нКл
|
|
Поверхностный
|
3 A
|
|
|
|
YJH
|
N
|
Одиночный
|
20 В
|
|
0,62 В
|
SOT-89
|
|
1,5 Вт
|
±10 В
|
- мОм
|
7 мОм
|
27,9 нКл
|
|
Поверхностный
|
10 A
|
Настройки
Отображение колонок
Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.