Полевые транзисторы
Всего товаров: 645
Товаров на странице:
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
YJG
|
P
|
Одиночный
|
-100 В
|
|
-1,8 В
|
PDFN5060
|
|
60 Вт
|
±20 В
|
83 мОм
|
95 мОм
|
20,1 нКл
|
|
Поверхностный
|
-15 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
1,65 В
|
PDFN5060
|
|
140 Вт
|
±20 В
|
1,8 мОм
|
2,4 мОм
|
50 нКл
|
|
Поверхностный
|
175 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
40 В
|
|
1,5 В
|
PDFN5060
|
|
17 Вт
|
±20 В
|
11 мОм
|
14 мОм
|
23,6 нКл
|
|
Поверхностный
|
18 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,8 В
|
PDFN5060
|
|
45 Вт
|
±20 В
|
49 мОм
|
52 мОм
|
51,4 нКл
|
|
Поверхностный
|
18 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
40 В
|
|
1,8 В
|
PDFN5060
|
|
156 Вт
|
±20 В
|
1 мОм
|
1,5 мОм
|
126 нКл
|
|
Поверхностный
|
200 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
1,5 В
|
PDFN5060
|
|
21 Вт
|
±20 В
|
34 мОм
|
36 мОм
|
26 нКл
|
|
Поверхностный
|
20 A
|
|
|
|
YJG
|
N/P
|
Сдвоенный
|
60 -60 В
|
|
1,5 -1,9 В
|
DFN5060-8L
|
|
35 50 Вт
|
±20 В
|
24 35 мОм
|
28…49 мОм
|
26 18,7 нКл
|
|
Поверхностный
|
20 -20 A
|
|
|
|
YJG
|
P
|
Одиночный
|
-60 В
|
|
-1,8 В
|
PDFN5060
|
|
60 Вт
|
±20 В
|
38 мОм
|
48 мОм
|
18,7 нКл
|
|
Поверхностный
|
-25 A
|
|
|
|
YJG
|
P
|
Одиночный
|
-100 В
|
|
-1,8 В
|
PDFN5060
|
|
88 Вт
|
±20 В
|
42 мОм
|
46 мОм
|
40 нКл
|
|
Поверхностный
|
-25 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
1,5 В
|
PDFN5060
|
|
45 Вт
|
±20 В
|
16 мОм
|
17,5 мОм
|
51 нКл
|
|
Поверхностный
|
30 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,8 В
|
PDFN5060
|
|
60 Вт
|
±20 В
|
14 мОм
|
17 мОм
|
16 нКл
|
|
Поверхностный
|
40 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
2,8 В
|
PDFN5060
|
|
70 Вт
|
±20 В
|
16 мОм
|
|
32 нКл
|
|
Поверхностный
|
40 A
|
|
|
|
YJG
|
P
|
Одиночный
|
-60 В
|
|
-1,8 В
|
PDFN5060
|
|
88 Вт
|
±20 В
|
16 мОм
|
23 мОм
|
37,5 нКл
|
|
Поверхностный
|
-40 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
30 В
|
|
1,5 В
|
PDFN5060
|
|
21 Вт
|
±20 В
|
5,5 мОм
|
9,5 мОм
|
23,6 нКл
|
|
Поверхностный
|
40 A
|
|
|
|
YJG
|
N/P
|
Сдвоенный
|
30 -30 В
|
|
1,5 -1,8 В
|
DFN5060-8L
|
|
21 35 Вт
|
±20 ±25 В
|
8 13 мОм
|
12…17 мОм
|
23,6 40,1 нКл
|
|
Поверхностный
|
40 -40 A
|
|
|
|
YJG
|
P
|
Одиночный
|
-30 В
|
|
-1,8 В
|
PDFN5060
|
|
45 Вт
|
±25 В
|
9 мОм
|
14,5 мОм
|
40,1 нКл
|
|
Поверхностный
|
-40 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
30 В
|
|
1,5 В
|
PDFN5060
|
|
45 Вт
|
±20 В
|
3,9 мОм
|
5 мОм
|
54 нКл
|
|
Поверхностный
|
50 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
30 В
|
|
1,5 В
|
PDFN5060
|
|
45 Вт
|
±20 В
|
3,9 мОм
|
6 мОм
|
46,3 нКл
|
|
Поверхностный
|
50 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
30 В
|
|
1,6 В
|
PDFN5060
|
|
65 Вт
|
±20 В
|
4,5 мОм
|
6,5 мОм
|
45 нКл
|
|
Поверхностный
|
50 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
2,8 В
|
PDFN5060
|
|
88 Вт
|
±20 В
|
7,2 мОм
|
|
36 нКл
|
|
Поверхностный
|
60 A
|
Настройки
Отображение колонок
Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.