Полевые транзисторы
Всего товаров: 645
Товаров на странице:
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
YJD
|
N
|
Одиночный
|
120 В
|
|
2 В
|
TO-252
|
|
208 Вт
|
±20 В
|
7,5 мОм
|
8,5 мОм
|
72 нКл
|
|
Выводной
|
88 A
|
|
|
|
YJD
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
1,5 В
|
TO-252
|
|
110 Вт
|
±20 В
|
5,6 мОм
|
6,8 мОм
|
102 нКл
|
|
Выводной
|
90 A
|
|
|
|
YJF
|
N
|
Одиночный
|
650 В
|
|
12 В
|
ITO-252AB
|
|
65,2 Вт
|
±30 В
|
280 мОм
|
|
25 нКл
|
|
Выводной
|
12 A
|
|
|
|
YJF
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
2,7 В
|
ITO-220AB
|
|
41 Вт
|
±20 В
|
9 мОм
|
|
31 нКл
|
|
Выводной
|
50 A
|
|
|
|
YJF
|
N
|
Одиночный
|
120 В
|
|
2 В
|
ITO-220AB
|
|
41 Вт
|
±20 В
|
7,5 мОм
|
8,5 мОм
|
72 нКл
|
|
Выводной
|
50 A
|
|
|
|
YJF
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,8 В
|
ITO-220AB
|
|
62 Вт
|
±20 В
|
4,2 мОм
|
4,8 мОм
|
50 нКл
|
|
Выводной
|
70 A
|
|
|
|
YJF
|
P
|
Одиночный
|
-60 В
|
|
-2,6 В
|
ITO-220AB
|
|
73 Вт
|
±18 В
|
7 мОм
|
|
82 нКл
|
|
Выводной
|
-80 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
80 В
|
|
3 В
|
PDFN5060
|
|
152 Вт
|
±20 В
|
3,6 мОм
|
|
73 нКл
|
|
Поверхностный
|
100 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
80 В
|
|
1,8 В
|
PDFN5060
|
|
152 Вт
|
±20 В
|
3,6 мОм
|
4,8 мОм
|
90 нКл
|
|
Поверхностный
|
100 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
40 В
|
|
1,5 В
|
PDFN5060
|
|
83 Вт
|
±20 В
|
2,8 мОм
|
4 мОм
|
102 нКл
|
|
Поверхностный
|
100 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
30 В
|
|
1,5 В
|
PDFN5060
|
|
70 Вт
|
±20 В
|
2,45 мОм
|
2,9 мОм
|
49,5 нКл
|
|
Поверхностный
|
105 A
|
|
|
|
YJG
|
N/P
|
Сдвоенный
|
100 -100 В
|
|
1,8 -1,8 В
|
DFN5060-8L
|
|
30 72 Вт
|
±20 В
|
90 88 мОм
|
95 мОм
|
16 20 нКл
|
|
Поверхностный
|
10 -18 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
80 В
|
|
3 В
|
PDFN5060
|
|
125 Вт
|
±20 В
|
2,9 мОм
|
|
68 нКл
|
|
Поверхностный
|
110 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,7 В
|
PDFN5060
|
|
113 Вт
|
±20 В
|
3,8 мОм
|
4,8 мОм
|
50 нКл
|
|
Поверхностный
|
110 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
3 В
|
PDFN5060
|
|
113 Вт
|
±20 В
|
- мОм
|
5 мОм
|
55 нКл
|
|
Поверхностный
|
110 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,8 В
|
PDFN5060
|
|
108 Вт
|
±20 В
|
3,2 мОм
|
4 мОм
|
65 нКл
|
|
Поверхностный
|
120 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
2,8 В
|
PDFN5060
|
|
108 Вт
|
±20 В
|
3,5 мОм
|
|
70 нКл
|
|
Поверхностный
|
120 A
|
|
|
|
YJG
|
N/P
|
Сдвоенный
|
100 -100 В
|
|
1,7 -1,7 В
|
DFN5060-8L
|
|
62 42 Вт
|
±20 В
|
19 90 мОм
|
22…98 мОм
|
32 20 нКл
|
|
Поверхностный
|
25'-12 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
40 В
|
|
1,8 В
|
PDFN5060
|
|
125 Вт
|
±20 В
|
1,45 мОм
|
2 мОм
|
129 нКл
|
|
Поверхностный
|
130 A
|
|
|
|
YJG
|
N
|
Одиночный
|
30 В
|
|
1,5 В
|
PDFN5060
|
|
69 Вт
|
±20 В
|
1,58 мОм
|
2,6 мОм
|
92,7 нКл
|
|
Поверхностный
|
150 A
|
Настройки
Отображение колонок
Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.