Полевые транзисторы FET, MOSFET

Всего товаров: 645

Товаров на странице:

Код заказа

Фото	В корзину	Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Монтаж	Vth Typ	Корпус	Id	Pd	Vgd	Rdson@VGS10V	Rdson@VGS4,5V	Qg	Исполнение	Монтаж	Id

Код заказа
SPTF60R030FD Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTF60R040FD Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTF60R099FD Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTF60R130FD Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTF60R70FD Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTF65R130FD Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ04R016HY Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ04R016LY Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ04R030LY Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ10R05 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ10R05BH Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ10R05H Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ10R10B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ10R16H Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ10R17 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ10R17H Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ10R5D5 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ12R08 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ12R08H Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ12R15 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor

Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Vth Typ	Корпус	Rdson@VGS10V	Rdson@VGS4,5V	Qg	Монтаж	Id
SJ	N	Одиночный	600 В	3 В	TO-247	26 мОм		195 нКл	Выводной	80 A
SJ	N	Одиночный	600 В	2 В	TO-247	37 мОм		143 нКл	Выводной	75 A
SJ	N	Одиночный	600 В	2 В	TO-247	94 мОм		51 нКл	Выводной	38 A
SJ	N	Одиночный	600 В	2,5 В	TO-247	115 мОм		41,3 нКл	Выводной	25 A
SJ	N	Одиночный	600 В	2,5 В	TO-247	65 мОм		78,2 нКл	Выводной	47 A
SJ	N	Одиночный	650 В	3 В	TO-247	110 мОм		37,5 нКл	Выводной	28 A
SGT	N	Одиночный	40 В	2 В	DFN5X6	1,4 мОм		94 нКл	Поверхностный	195 A
SGT	N	Одиночный	40 В	1 В	DFN5X6	1,3 мОм	2 мОм	120 нКл	Поверхностный	195 A
SGT	N	Одиночный	40 В	1 В	DFN5X6	2,4 мОм	3,5 мОм	57 нКл	Поверхностный	110 A
SGT	N	Одиночный	100 В	1,1 В	DFN5X6	4,1 мОм	5,7 мОм	62 нКл	Поверхностный	110 A
SGT	N	Одиночный	100 В	2,5 В	DFN5X6	4,3 мОм		64 нКл	Поверхностный	120 A
SGT	N	Одиночный	100 В	2 В	DFN5X6	4,1 мОм		72 нКл	Поверхностный	110 A
SGT	N	Одиночный	100 В	1,1 В	DFN5X6	7 мОм	9,8 мОм	33 нКл	Поверхностный	80 A
SGT	N	Одиночный	100 В	2 В	DFN5X6	13 мОм		20 нКл	Выводной	50 A
SGT	N	Одиночный	100 В	1,1 В	DFN5X6	11 мОм	15 мОм	22,8 нКл	Поверхностный	60 A
SGT	N	Одиночный	100 В	2 В	DFN5X6	11 мОм		20 нКл	Поверхностный	60 A
SGT	N	Одиночный	100 В	2 В	DFN5X6	4,3 мОм		55,8 нКл	Поверхностный	115 A
SGT	N	Одиночный	120 В	1 В	DFN5X6	5,1 мОм	6,7 мОм	80 нКл	Поверхностный	110 A
SGT	N	Одиночный	120 В	2,5 В	DFN5X6	6,4 мОм		36 нКл	Поверхностный	110 A
SGT	N	Одиночный	120 В	1,1 В	DFN5X6	10,5 мОм	14 мОм	21 нКл	Поверхностный	60 A

Начало 13 14 15 16 17 Конец

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.

Полевые транзисторы

Вопрос-ответ

Задать вопрос

Полевые транзисторы

Отображение колонок

Вопрос-ответ

Задать вопрос