Полевые транзисторы FET, MOSFET

Всего товаров: 645

Товаров на странице:

Код заказа

Фото	В корзину	Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Монтаж	Vth Typ	Корпус	Id	Pd	Vgd	Rdson@VGS10V	Rdson@VGS4,5V	Qg	Исполнение	Монтаж	Id

Код заказа
SPTJ20R20HIA Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ20R40HIA Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ20R40LIA Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ25R40HIA Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ25R80HIA Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ4D5R1D5 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ4D5R1D8 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ4R02 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ6R03A Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ6R06 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ6R06H Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ6R10H Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ6R1D7 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ6R1D9 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ6R2D2 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTJ8R2D7B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTP04R022HY Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTP04R030LY Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTP08R5D5 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTP10R040HA Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor

Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Vth Typ	Корпус	Rdson@VGS10V	Rdson@VGS4,5V	Qg	Монтаж	Id
SGT	N	Одиночный	200 В	2,5 В	DFN5X6	18 мОм		77 нКл	Поверхностный	75 A
SGT	N	Одиночный	200 В	2,5 В	DFN5X6	45 мОм		32,5 нКл	Поверхностный	30 A
SGT	N	Одиночный	200 В	1 В	DFN5X6	43 мОм	50 мОм	49 нКл	Поверхностный	30 A
SGT	N	Одиночный	250 В	2,5 В	DFN5X6	38 мОм		76 нКл	Поверхностный	45 A
SGT	N	Одиночный	250 В	2,5 В	DFN5X6	89 мОм		33 нКл	Поверхностный	20 A
SGT	N	Одиночный	45 В	1 В	DFN5X6	0,95 мОм	1,4 мОм	103 нКл	Поверхностный	210 A
SGT	N	Одиночный	45 В	2 В	DFN5X6	1,1 мОм		74 нКл	Поверхностный	210 A
SGT	N	Одиночный	45 В	2 В	DFN5X6	1,45 мОм		75 нКл	Поверхностный	180 A
SGT	N	Одиночный	60 В	1,1 В	DFN5X6	1,7 мОм	2,4 мОм	115 нКл	Поверхностный	160 A
SGT	N	Одиночный	60 В	1,1 В	DFN5X6	5,1 мОм	7,7 мОм	26,5 нКл	Поверхностный	75 A
SGT	N	Одиночный	60 В	2 В	DFN5X6	5,75 мОм		24 нКл	Поверхностный	70 A
SGT	N	Одиночный	60 В	2 В	DFN5X6	8 мОм		16 нКл	Поверхностный	50 A
SGT	N	Одиночный	60 В	2 В	DFN5X6	1,6 мОм		76 нКл	Поверхностный	200 A
SGT	N	Одиночный	60 В	2 В	DFN5X6	1,65 мОм		70 нКл	Поверхностный	195 A
SGT	N	Одиночный	60 В	2 В	DFN5X6	1,8 мОм		71,5 нКл	Поверхностный	180 A
SGT	N	Одиночный	80 В	2 В	DFN5X6	1,9 мОм		105 нКл	Поверхностный	190 A
SGT	N	Одиночный	40 В	2 В	TO-220	2 мОм		94 нКл	Выводной	185 A
SGT	N	Одиночный	40 В	1 В	TO-220	2,8 мОм	4,2 мОм	57 нКл	Выводной	110 A
SGT	N	Одиночный	80 В	2,5 В	TO-220	5,2 мОм		55,7 нКл	Выводной	108 A
SGT	N	Одиночный	100 В	2 В	TO-220	3,7 мОм		78 нКл	Выводной	160 A

Начало 14 15 16 17 18 Конец

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.

Полевые транзисторы

Вопрос-ответ

Задать вопрос

Полевые транзисторы

Отображение колонок

Вопрос-ответ

Задать вопрос