Полевые транзисторы FET, MOSFET

Всего товаров: 645

Товаров на странице:

Код заказа

Фото	В корзину	Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Монтаж	Vth Typ	Корпус	Id	Pd	Vgd	Rdson@VGS10V	Rdson@VGS4,5V	Qg	Исполнение	Монтаж	Id

Код заказа
SPTB12R08H Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB15R7D5 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB20R10 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB20R20HIA Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB25R20 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB25R40HIA Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB60R099FD Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB60R130FD Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB65R130FD Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB65R300M Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB6R2D2 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB8R10H Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTD04R020LY Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTD04R022HY Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTD10R10B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTD10R13H Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTD10R14H Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTD10R16 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTD10R20 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTD12R15 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor

Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Vth Typ	Корпус	Rdson@VGS10V	Rdson@VGS4,5V	Qg	Монтаж	Id
SGT	N	Одиночный	120 В	2,5 В	TO-263	5,9 мОм		36 нКл	Поверхностный	110 A
SGT	N	Одиночный	150 В	2,5 В	TO-263	4,85 мОм		141 нКл	Поверхностный	150 A
SGT	N	Одиночный	200 В	2,5 В	TO-263	9,3 мОм		145 нКл	Поверхностный	110 A
SGT	N	Одиночный	200 В	2,5 В	TO-263	17,5 мОм		77 нКл	Поверхностный	75 A
SGT	N	Одиночный	250 В	2,5 В	TO-263	18 мОм		136 нКл	Поверхностный	93 A
SGT	N	Одиночный	250 В	2,5 В	TO-263	34 мОм		76 нКл	Поверхностный	45 A
SJ	N	Одиночный	600 В	2 В	TO-263	94 мОм		51 нКл	Поверхностный	38 A
SJ	N	Одиночный	600 В	2,5 В	TO-263	115 мОм		41,3 нКл	Поверхностный	25 A
SJ	N	Одиночный	650 В	3 В	TO-263	120 мОм		37,5 нКл	Поверхностный	28 A
SJ	N	Одиночный	650 В	2,7 В	TO-263	275 мОм		26,6 нКл	Поверхностный	13 A
SGT	N	Одиночный	60 В	2 В	TO-263	2,2 мОм		71,5 нКл	Поверхностный	165 A
SGT	N	Одиночный	80 В	2 В	TO-263	7,2 мОм		27,6 нКл	Поверхностный	95 A
SGT	N	Одиночный	40 В	1 В	TO-252	1,85 мОм	2,6 мОм	120 нКл	Поверхностный	190 A
SGT	N	Одиночный	40 В	2 В	TO-252	1,9 мОм		94 нКл	Поверхностный	185 A
SGT	N	Одиночный	100 В	1,1 В	TO-252	7,4 мОм	10 мОм	33 нКл	Поверхностный	80 A
SGT	N	Одиночный	100 В	2 В	TO-252	8,7 мОм		21 нКл	Поверхностный	65 A
SGT	N	Одиночный	100 В	2 В	TO-252	9,2 мОм		24,5 нКл	Поверхностный	60 A
SGT	N	Одиночный	100 В	1,1 В	TO-252	12,5 мОм	18 мОм	18,3 нКл	Поверхностный	50 A
SGT	N	Одиночный	100 В	1,1 В	TO-252	15 мОм	21 мОм	19 нКл	Поверхностный	42 A
SGT	N	Одиночный	120 В	1,1 В	TO-252	10,5 мОм	14 мОм	21 нКл	Поверхностный	60 A

Начало 11 12 13 14 15 Конец

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.

Полевые транзисторы

Вопрос-ответ

Задать вопрос

Полевые транзисторы

Отображение колонок

Вопрос-ответ

Задать вопрос