Полевые транзисторы FET, MOSFET

Всего товаров: 645

Товаров на странице:

Код заказа

Фото	В корзину	Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Монтаж	Vth Typ	Корпус	Id	Pd	Vgd	Rdson@VGS10V	Rdson@VGS4,5V	Qg	Исполнение	Монтаж	Id

Код заказа
PTW69N30B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTW90N20 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTW90N25B Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPT12R84Z3 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTA10R10BH Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTA15R7D5 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTA60R099FD Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTA60R130FD Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTA65R130FD Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTA65R240 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTA65R300M Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTA65R600E Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTA80R190A Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB045R013LY Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB08R5D5 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB10R040HA Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB10R05H Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB10R3D5H Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB12R04 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
SPTB12R08 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor

Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Vth Typ	Корпус	Rdson@VGS10V	Rdson@VGS4,5V	Qg	Монтаж	Id
Planar	N	Одиночный	300 В	2 В	TO-3P	40 мОм		377 нКл	Выводной	69 A
Planar	N	Одиночный	200 В	2 В	TO-3P	20 мОм		200 нКл	Выводной	94 A
Planar	N	Одиночный	250 В	2 В	TO-3P	29 мОм		376 нКл	Выводной	90 A
SGT	N	Одиночный	120 В	1 В	SOT23-3L	65 мОм	85 мОм	3,5 нКл	Поверхностный	3 A
SGT	N	Одиночный	100 В	2 В	TO-220F	7,4 мОм		33 нКл	Выводной	45 A
SGT	N	Одиночный	150 В	2,5 В	TO-220F	5 мОм		141 нКл	Выводной	55 A
SJ	N	Одиночный	600 В	2,5 В	TO-220F	94 мОм		51 нКл	Выводной	38 A
SJ	N	Одиночный	600 В	2,5 В	TO-220F	115 мОм		41,3 нКл	Выводной	25 A
SJ	N	Одиночный	650 В	3 В	TO-220F	120 мОм		37,5 нКл	Выводной	28 A
SJ	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-220F	190 мОм		31 нКл	Выводной	20 A
SJ	N	Одиночный	650 В	2,7 В	TO-220F	275 мОм		26,6 нКл	Выводной	13 A
SJ	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-220F	550 мОм		16 нКл	Выводной	7 A
SJ	N	Одиночный	800 В	2 В	TO-220F	160 мОм		60 нКл	Выводной	21 A
SGT	N	Одиночный	45 В	1 В	TO-263	1,3 мОм	1,7 мОм	170 нКл	Поверхностный	250 A
SGT	N	Одиночный	80 В	2,5 В	TO-220	5,2 мОм		55,7 нКл	Выводной	108 A
SGT	N	Одиночный	100 В	2 В	TO-263	3,6 мОм		78 нКл	Поверхностный	160 A
SGT	N	Одиночный	100 В	2 В	TO-263	4,2 мОм		72 нКл	Поверхностный	150 A
SGT	N	Одиночный	100 В	2 В	TO-263	3 мОм		106 нКл	Поверхностный	193 A
SGT	N	Одиночный	120 В	2,5 В	TO-263	3 мОм		75 нКл	Поверхностный	180 A
SGT	N	Одиночный	120 В	1 В	TO-263	5,2 мОм	7 мОм	45 нКл	Поверхностный	110 A

Начало 10 11 12 13 14 Конец

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.

Полевые транзисторы

Вопрос-ответ

Задать вопрос

Полевые транзисторы

Отображение колонок

Вопрос-ответ

Задать вопрос