DRAM (SDRAM)
Всего товаров: 644
Товаров на странице:
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
1,95 В
|
512 Мбит
|
TFBGA-90
|
-40…85 ℃
|
64M x 8
|
1,7 В
|
104 МГц
|
2500 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
32 Мбит
|
TFBGA-90
|
-40…85 ℃
|
4M x 8
|
2,7 В
|
133 МГц
|
240 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
1,95 В
|
128 Мбит
|
TFBGA-90
|
-40…85 ℃
|
8M x 16
|
1,7 В
|
133 МГц
|
240 шт
|
|
 |
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
512 Мбит
|
TFBGA-54
|
-40…85 ℃
|
64M x 8
|
2,7 В
|
133 МГц
|
319 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
1 Гбит
|
TFBGA-54
|
-40…85 ℃
|
128M x 8
|
2,7 В
|
104 МГц
|
2500 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
1 Гбит
|
TFBGA-54
|
-40…85 ℃
|
128M x 8
|
2,7 В
|
166 МГц
|
319 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
256 Мбит
|
TFBGA-54
|
-40…85 ℃
|
32M x 8
|
2,7 В
|
133 МГц
|
2500 шт
|
|
 |
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
512 Мбит
|
TSOP-54
|
-40…85 ℃
|
64M x 8
|
2,7 В
|
104 МГц
|
324 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
512 Мбит
|
TSOP-54
|
-40…85 ℃
|
32M x 16
|
2,7 В
|
104 МГц
|
1000 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
1,95 В
|
128 Мбит
|
TSOP-54
|
-40…85 ℃
|
16M x 8
|
1,7 В
|
133 МГц
|
324 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
4 Гбит
|
TSOP-54
|
-40…85 ℃
|
4G x 1
|
2,7 В
|
104 МГц
|
1000 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
1,95 В
|
2 Мбит
|
TSOP-54
|
-40…85 ℃
|
256K x 8
|
1,65 В
|
104 МГц
|
216 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
64 Мбит
|
TSOP-54
|
-40…85 ℃
|
8M x 8
|
2,7 В
|
133 МГц
|
1000 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
2 Мбит
|
TFBGA-90
|
-40…85 ℃
|
256K x 8
|
2,3 В
|
104 МГц
|
240 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
1,95 В
|
64 Мбит
|
TFBGA-90
|
-40…85 ℃
|
2M x 32
|
1,7 В
|
104 МГц
|
2500 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
128 Мбит
|
TFBGA-90
|
-40…85 ℃
|
16M x 8
|
2,7 В
|
133 МГц
|
240 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
64 Мбит
|
TFBGA-90
|
0…70 ℃
|
2M x 32
|
3 В
|
166 МГц
|
2500 шт
|
|
 |
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
256 Мбит
|
TSOP-86
|
-40…85 ℃
|
32M x 8
|
2,7 В
|
133 МГц
|
324 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
4 Мбит
|
TSOP-86
|
-40…85 ℃
|
512K x 8
|
2,3 В
|
104 МГц
|
216 шт
|
|
|
|
|
W
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
2 Гбит
|
TSOP-86
|
-40…85 ℃
|
128M x 16
|
2,7 В
|
104 МГц
|
1000 шт
|
|
Настройки
Отображение колонок
Динамическая оперативная память или dynamic random access memory (DRAM) — это оперативная энергозависимая память с произвольным доступом к считыванию информации. Сегодня память типа DRAM (в различных модификациях) является основным компонентом вычислительной техники благодаря наилучшему соотношению цены и качества.Производительность микросхем динамической памяти во многом зависит от рабочей частоты и тайминга — задержки времени полного доступа (между подачей номеров столбца и строки) и рабочего цикла (между запросом номера столбца и получением данных ячейки). Задержка измеряется в наносекундах или тактах, и чем они меньше, тем более высокая производительность микросхем DRAM.Основными преимуществами динамической памяти являются малая себестоимость и высокая степень упаковки, позволяющая создавать микросхемы большой ёмкости. Недостатки — динамическая память имеет меньшее быстродействие в сравнении со статической, необходимость восстановления заряда конденсатора. В целом же динамический тип оперативной памяти является основным в большинстве современных вычислительных устройств.Синхронная DRAM память (SDRAM)
С момента своего появления микросхемы динамической памяти постоянно совершенствовались, увеличивался их объём и производительность, уменьшались размеры и тайминг. Первым типом памяти, успешно работающим при частоте системной шины от 100 МГц и более (обусловленной выпуском новых процессоров) стала синхронная динамическая память — SDRAM. Её особенностью является синхронная работа с контроллером памяти, обеспечивающая конвейерную обработку информации — возможность отсылать запрос на считывание новой информации до завершения считывания предыдущей для уменьшения тайминга. Усложненный процесс считывания привел к усложнению контроллера, впервые был использован тактовый генератор для синхронизации всех сигналов.
С момента своего появления микросхемы динамической памяти постоянно совершенствовались, увеличивался их объём и производительность, уменьшались размеры и тайминг. Первым типом памяти, успешно работающим при частоте системной шины от 100 МГц и более (обусловленной выпуском новых процессоров) стала синхронная динамическая память — SDRAM. Её особенностью является синхронная работа с контроллером памяти, обеспечивающая конвейерную обработку информации — возможность отсылать запрос на считывание новой информации до завершения считывания предыдущей для уменьшения тайминга. Усложненный процесс считывания привел к усложнению контроллера, впервые был использован тактовый генератор для синхронизации всех сигналов.
Новости
27 июня 2023
Компания MMY объявила о расширении своей линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ.
20 октября 2016
Компания Winbond Electronics анонсировала выпуск микросхемы DDR3/3L SDRAM низкой плотности 512 Мбит c тремя вариантами рабочего температурного диапазона, в том числе автомобильным: -40…+105°C.