Да
Нет, выбрать свой
Энергонезависимые микросхемы памяти (NonVolatileRandomAccessMemory, NVRAM) или ПЗУ (постоянные запоминающие устройства) — это устройства памяти которые могут хранить данные независимо от наличия либо отсутствия внешнего источника питания.
Первыми появились устройства энергонезависимой памяти, рассчитанные на работу исключительно в режиме чтения, память ROM (Read Only Memory — память только для чтения). В последствии появились современные энергонезависимые микросхемы памяти, имеющие возможность работать в режимах записи, стирания и перезаписи. Современным и перспективным типом энергонезависимой репрограммируемой памяти является — Flash память. В отличие от других типов, информация в которых стирается по байтам или под воздействием ультрафиолетовых лучей, в Flash память информация стирается и записывается блоками. Более широкому внедрению флеш-памяти, в настоящее время, препятствует ограниченный ресурс работы, современная Flash память теряет свои свойства после 100 000 циклов стирания.Ещё одним перспективным современным типом постоянной памяти являются микросхемы созданные на основе специальных материалов — ферроэлектриков. Данный тип памяти (FRAM) является полностью энергонезависимым и демонстрирует впечатляющие показатели стойкости характеристик. Гарантии безупречной работы составляют, как правило, порядка 1014 циклов записи и стирания.
Наиболее перспективным типом энергонезависимой памяти в настоящее время можно считать MRAM. Это магниторезистивная память (MRAM —англ. magnetoresistiverandom-accessmemory) в которой хранение данных обеспечивается не за счет электрических зарядов, а за счет магнитных моментов. Преимуществом независимых магнитных микросхем является высокое быстродействие, сравнимое с SRAM, а также неограниченное количество циклов записи и стирания данных.
Использование магнитных моментов для хранения информации имеет два важных преимущества:
  • Отсутствие утечек с течением времени при отсутствии внешнего питания.
  • Переход магнитной поляризации между двумя состояниями не влечёт за собой изменение направления движения электронов и, соответственно, полностью отсутствует причина износа ячеек памяти.

Вопрос-ответ