Микросхемы памяти
Отображение колонок
Первыми появились устройства энергонезависимой памяти, рассчитанные на работу исключительно в режиме чтения, память ROM (Read Only Memory — память только для чтения). В последствии появились современные энергонезависимые микросхемы памяти, имеющие возможность работать в режимах записи, стирания и перезаписи. Современным и перспективным типом энергонезависимой репрограммируемой памяти является — Flash память. В отличие от других типов, информация в которых стирается по байтам или под воздействием ультрафиолетовых лучей, в Flash память информация стирается и записывается блоками. Более широкому внедрению флеш-памяти, в настоящее время, препятствует ограниченный ресурс работы, современная Flash память теряет свои свойства после 100 000 циклов стирания.Ещё одним перспективным современным типом постоянной памяти являются микросхемы созданные на основе специальных материалов — ферроэлектриков. Данный тип памяти (FRAM) является полностью энергонезависимым и демонстрирует впечатляющие показатели стойкости характеристик. Гарантии безупречной работы составляют, как правило, порядка 1014 циклов записи и стирания.
Наиболее перспективным типом энергонезависимой памяти в настоящее время можно считать MRAM. Это магниторезистивная память (MRAM —англ. magnetoresistiverandom-accessmemory) в которой хранение данных обеспечивается не за счет электрических зарядов, а за счет магнитных моментов. Преимуществом независимых магнитных микросхем является высокое быстродействие, сравнимое с SRAM, а также неограниченное количество циклов записи и стирания данных.
Использование магнитных моментов для хранения информации имеет два важных преимущества:
- Отсутствие утечек с течением времени при отсутствии внешнего питания.
- Переход магнитной поляризации между двумя состояниями не влечёт за собой изменение направления движения электронов и, соответственно, полностью отсутствует причина износа ячеек памяти.
Новости
Тайваньская компания-производитель UD Info представила USB флеш-накопители, разработанные для промышленных решений, требующих надёжности и производительности – серия UF3-ALUM.
Компания Everspin объявила о запуске производства образцов нового семейства микросхем памяти с интерфейсами SPI/QSPI/xSPI – серия EMxxLX. Данная серия является самой высокопроизводительной постоянной памятью с полной пропускной способностью чтения и записи 400 Мбайт/c.
Корпорация Winbond Electronics объявила о расширении своей линейки SPI NOR Flash, представив одинарную монолитную флеш-память SPI NOR 1,8 В 512 MB, которая может поддерживать стандартную/двойную частоту до 166 МГц/quad SPI clocks.
Компания Everspin расширила свой ассортимент 16-битной энергонезависимой MRAM памяти с параллельным интерфейсом на 8 и 32 Мбит – семейство MR5A16A.
Компания Winbond Electronics объявила о получении уровня PSA Certified Level 2 Ready в схеме независимой гарантии безопасности для семейства микросхем защищенной флэш памяти TrustME W75F Secure Flash.
Компания Winbond Electronics объявила о расширении своего инновационного семейства микросхем памяти TrustME Secure Flash, представив серию для IoT, интеллектуальных потребительских и промышленных устройств – серия W77Q.
Компания Everspin Technologies объявила о разработке семейства микросхем ST-MRAM для индустриальных и IoT применений. Ранее микросхемы ST-MRAM производились только в коммерческом диапазоне температур.
Компания Everspin Technologies объявила, что компании Phison Electronics и Sage Microelectronics предоставят встроенную поддержку памяти STT-MRAM на 1 Гбит в своих продуктах.
Компания Everspin Technologies начала поставки образцов микросхемы энергонезависимой магниторезистивной памяти на основе переноса спиновых состояний ST-MRAM с интерфейсом DDR4 объёмом 1 Гбит – EMD4E001G.
На выставке «Электроника 2018» в Мюнхене компания Winbond Electronics анонсировала дальнейшее развитие семейства микросхем памяти SPI NOR Flash W25Q-ND плотностью 64 Мбит и 128 Мбит напряжением 1,2 В и семейства SLC NAND /SPI NAND Flash на 2 Гбит.
Компания Everspin Technologies объявила о вступлении в силу ценовых изменений на свою продукцию.
Статьи
Для многих беспроводных и портативных приложений, особенно в растущем сегменте «интернет вещей», критическим является энергопотребление (мощность, потребляемая устройством в течении продолжительного периода времени). Основная задача проводимого исследования – это может ли функция fast-Write и power-up-to-Write для MRAM памяти существенно снизить общее энергопотребление системы по сравнению с любой EEPROM или Flash памятью.