Ваш город Дублин?
Да
Нет, выбрать свой
Энергонезависимые микросхемы памяти (NonVolatileRandomAccessMemory, NVRAM) или ПЗУ (постоянные запоминающие устройства) — это устройства памяти которые могут хранить данные независимо от наличия либо отсутствия внешнего источника питания.
Первыми появились устройства энергонезависимой памяти, рассчитанные на работу исключительно в режиме чтения, память ROM (Read Only Memory — память только для чтения). В последствии появились современные энергонезависимые микросхемы памяти, имеющие возможность работать в режимах записи, стирания и перезаписи. Современным и перспективным типом энергонезависимой репрограммируемой памяти является — Flash память. В отличие от других типов, информация в которых стирается по байтам или под воздействием ультрафиолетовых лучей, в Flash память информация стирается и записывается блоками. Более широкому внедрению флеш-памяти, в настоящее время, препятствует ограниченный ресурс работы, современная Flash память теряет свои свойства после 100 000 циклов стирания.Ещё одним перспективным современным типом постоянной памяти являются микросхемы созданные на основе специальных материалов — ферроэлектриков. Данный тип памяти (FRAM) является полностью энергонезависимым и демонстрирует впечатляющие показатели стойкости характеристик. Гарантии безупречной работы составляют, как правило, порядка 1014 циклов записи и стирания.
Наиболее перспективным типом энергонезависимой памяти в настоящее время можно считать MRAM. Это магниторезистивная память (MRAM —англ. magnetoresistiverandom-accessmemory) в которой хранение данных обеспечивается не за счет электрических зарядов, а за счет магнитных моментов. Преимуществом независимых магнитных микросхем является высокое быстродействие, сравнимое с SRAM, а также неограниченное количество циклов записи и стирания данных.
Использование магнитных моментов для хранения информации имеет два важных преимущества:
  • Отсутствие утечек с течением времени при отсутствии внешнего питания.
  • Переход магнитной поляризации между двумя состояниями не влечёт за собой изменение направления движения электронов и, соответственно, полностью отсутствует причина износа ячеек памяти.
Каталог модулей Flash памяти Puya
22 октября 2015

Для многих беспроводных и портативных приложений, особенно в растущем сегменте «интернет вещей», критическим является энергопотребление (мощность, потребляемая устройством в течении продолжительного периода времени). Основная задача проводимого исследования – это может ли функция fast-Write и power-up-to-Write для MRAM памяти существенно снизить общее энергопотребление системы по сравнению с любой EEPROM или Flash памятью.

Вопрос-ответ