ST-MRAM DDR4 на 1 Гбит от Everspin доступна образцами в России
Компания Everspin Technologies начала поставки образцов микросхемы энергонезависимой магниторезистивной памяти на основе переноса спиновых состояний ST-MRAM с интерфейсом DDR4 объёмом 1 Гбит – EMD4E001G.
Первая серия испытаний прошла успешно, и теперь микросхема доступна для тестирования заказчикам во всём мире, включая Россию.
Запуск серийного производства запланирован на вторую половину 2019 года.
Ранее производителем была выпущена микросхема ST-MRAM с интерфейсом DDR3 объёмом 256 Мбит, которая успешно интегрировалась во многие проекты, благодаря чему стал возможен выпуск микросхемы с четырёхкратным увеличением плотности – ST-MRAM на 1 Гбит.
Основные характеристики EMD4E001G:
- объём: 1 Гбит
- технологический процесс: 28 нм
- интерфейс: DDR4
- 8-битная и 16-битная версии
- BGA корпус
Использование ST-MRAM позволяет производителям систем хранения повысить надежность и производительность систем и устройств хранения, обеспечивая защиту от потери напряжения питания без использования суперконденсаторов или батарей.
Компания Everspin разрабатывает и производит следующее поколение энергонезависимой памяти – ST-MRAM. В ней для записи бита информации используется ток, протекающий через структуру ячейки. Микросхема ST-MRAM на 1 Гбит является продолжением семейства микросхем, основанных на переносе спиновых состояний (ST-spin toque). В это семейство также входят микросхемы с объёмом 64 Мбит и 256 Мбит. Производство микросхем ведётся на фабрике ведущего контрактного производителя полупроводниковых микросхем GLOBALFOUNDRIES.
Компания «Макро Групп» является официальным дистрибьютором Everspin Technologies в России.
Для заказа образцов памяти ST-MRAM 1 Гбит и получения технической поддержки по всей продукции Everspin напишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05 доб.775.
