SiC MOSFET дискреты и чипы от AMG Power
3 апреля 2023
SiC МОП-транзисторы от AMG Power 650 В – 1700 В в корпусах для объемного и поверхностного монтажа, а также, чипы в некорпусированном виде.
Доступны для заказа SiC MOSFET от AMG Power со следующими параметрами:
- Напряжение Vds: 650, 1200 и 1700 В
- Ток Id: до 100 А
- Корпуса: TO-247-3, TO-247-4, TO263-7, SOT227, DFN8*8, DFN5*6, кристаллы/чипы
Применение SiC МОП-транзисторов:
- Импульсные источники питания
- Тяговые инверторы
- Источники бесперебойного питания
- Промышленные источники питания
- Солнечная энергетика
Преимущества SiC MOSFET:
- Высокая эффективность на системном уровне
- Выше плотность мощности системы
- Снижение требований к теплоотводу
- Параллельная работа без теплового пробоя
По техническим вопросам и заказам обращайтесь по телефону (800) 333-06-05 доб. 783, через форму обратной связи на сайте.