Да
Нет, выбрать свой
Выбрано: 0
Показать
МОП-транзисторы на основе карбида кремния (SiC) всё чаще становятся заменой традиционным кремниевым (Si) IGBT. SiC MOSFET позволяют заметно повысить рабочую частоту преобразователя и уменьшить потери. В каталоге дискретных SiC MOSFET представлены транзисторы в корпусах TO, корпусах для поверхностного монтажа и чипы в некорпусированном виде.
25 сентября 2023
AMG Power выпустила семейство SiC MOSFET нового поколения Gen3 1700 В с управляющим напряжением -5/+15 В.
20 июня 2023
AMG Power анонсировала SiC MOSFET нового поколения Gen3 1700 В 750 мОм 5 А в корпусе TO-263-7 с управляющим напряжением -5/+15 В – AMG5N1700MT7.
03 апреля 2023
SiC МОП-транзисторы от AMG Power 650 В – 1700 В в корпусах для объемного и поверхностного монтажа, а также, чипы в некорпусированном виде.

Вопрос-ответ