SiC MOSFET 1200 В 150 А с минимальным сопротивлением сток-исток 10 мОм в корпусе TO-247-4 от AMG Power
AMG Power расширила ассортимент продукции SiC MOSFET транзистором A4G150N1200MT4. Данный транзистор, выполненный в стандартном корпусе TO-247-4, позволяет повысить плотность мощности без ущерба для надёжности устройства.
Максимальный продолжительный ток 150 А и напряжение 1200 В сток-исток позволяют использовать модули в компактных высоконадёжных системах преобразования солнечной энергии, высоковольтных преобразователях постоянного тока, в том числе железнодорожного и подземного транспорта, промышленных источниках питания.
Благодаря использованию технологии SiC уменьшаются потери на переключении и проводимости тока, что позволяет отказаться от мощных охлаждающих систем и обойтись только естественным охлаждением при сохранении габаритов устройства.
A4G150N1200MT4 – 4 поколение SiC транзисторов AMG Power, которое управляется гибридно (15/18 В), как 2 и 3 поколение транзисторов и имеет минимальное на данный момент сопротивление Rds(on) – 10 мОм (при 18 VGS).
Основные особенности транзисторов A4G150N1200MT4:
- стандартный корпус стандарта TO-247-4
- сверхнизкие потери, работа на повышенных частотах
- нулевые потери на обратное восстановление диода
- нулевой ток выключения MOSFET
- напряжение затвора (VGS): 15 В или 18 В
- низкое сопротивление Rds(on): 10 мОм (при 18 VGS)
- высокочастотные преобразователи
- преобразователи DC-DC
- солнечные инверторы и ветрогенераторы
- ИБП и ИИП
- преобразователи для ЖД и горного оборудования
Компания Макро Групп является поставщиком продукции AMG Power на территории России и стран СНГ.
По техническим вопросам и заказам позвоните по телефону (800) 333-06-05 доб. 750 или напишите через форму «Задать вопрос» на сайте.
