Энергонезависимая 1 Гбит DDR4 память ST-MRAM от Everspin Technologies
Компания Everspin Technologies на выставке Electronica 2016 в Мюнхене показала первые образцы микросхемы энергонезависимой памяти ST-MRAM с интерфейсом DDR4 объемом 1 Гбит. Это самый большой объем энергонезависимой памяти с интерфейсом DDR4 из доступных на рынке.
Инженерные образцы ST-MRAM на 1 Гбит будут доступны заказчикам в 2017 году.
Ключевые особенности:
- технология уровня 40 нм на 300-мм пластине
- работа с интерфейсами памяти DDR4/DDR3
- самый высокий уровень выносливости среди имеющихся на рынке энергонезависимых запоминающих устройств
Компания Everspin является разработчиком и производителем памяти ST-MRAM – следующего поколения энергонезависимой памяти. В памяти этого типа для записи бита используется ток, протекающий через структуру ячейки. Микросхема ST-MRAM на 1 Гбит является продолжением семейства микросхем, основанных на переносе спиновых состояний (ST-spin toque). В это семейство также входят микросхемы с объемом 64 Мбит и 256 Мбит. Производство микросхем ведется на фабрике ведущего контрактного производителя полупроводниковых микросхем GLOBALFOUNDRIES.
Компания «Макро Групп» является официальным дистрибьютором Everspin Technologies.
Для заказа образцов и получения технической поддержки по всей продукции Everspin пишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05.
