Усилители мощности
Всего товаров: 111
Товаров на странице:
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GN
|
0,3 ГГц
|
2 ГГц
|
40 дБм
|
13 дБ
|
17 дБ
|
28 В
|
|
0,9 А
|
40 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
0,3 ГГц
|
2 ГГц
|
43 дБм
|
26 дБ
|
35 дБ
|
48 В
|
|
1,2 А
|
45 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
0,3 ГГц
|
6 ГГц
|
33 дБм
|
15 дБ
|
17 дБ
|
48 В
|
|
0,37 А
|
15 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
0,3 ГГц
|
6 ГГц
|
46 дБм
|
20 дБ
|
33 дБ
|
48 В
|
|
2,5 А
|
25 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
0,8 ГГц
|
2 ГГц
|
44 дБм
|
26 дБ
|
35 дБ
|
48 В
|
|
1,2 А
|
45 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
1,2 ГГц
|
1,4 ГГц
|
49 дБм
|
25 дБ
|
33 дБ
|
28 В
|
|
4,8 А
|
66 %
|
PULSE
|
|
|
|
GN
|
2 ГГц
|
4 ГГц
|
46 дБм
|
21 дБ
|
28 дБ
|
28 В
|
|
3,5 А
|
40 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
2 ГГц
|
6 ГГц
|
44 дБм
|
19 дБ
|
30 дБ
|
28 В
|
|
3,5 А
|
35 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
2 ГГц
|
6 ГГц
|
45 дБм
|
21 дБ
|
27 дБ
|
28 В
|
|
3,5 А
|
38 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
2 ГГц
|
6,5 ГГц
|
44 дБм
|
19 дБ
|
27 дБ
|
28 В
|
|
3,2 А
|
35 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
2 ГГц
|
8 ГГц
|
44 дБм
|
16 дБ
|
22 дБ
|
28 В
|
|
4 А
|
30 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
2 ГГц
|
18 ГГц
|
35 дБм
|
8 дБ
|
12 дБ
|
28 В
|
|
0,9 А
|
20 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
2 ГГц
|
18 ГГц
|
40 дБм
|
15 дБ
|
23 дБ
|
28 В
|
|
2,2 А
|
20 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
2 ГГц
|
18 ГГц
|
43 дБм
|
16 дБ
|
24 дБ
|
40 В
|
|
3 А
|
20 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
2 ГГц
|
20 ГГц
|
40 дБм
|
8 дБ
|
10 дБ
|
28 В
|
|
1,5 А
|
17 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
2,7 ГГц
|
3,5 ГГц
|
47 дБм
|
25 дБ
|
32 дБ
|
28 В
|
|
4,2 А
|
50 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
2,7 ГГц
|
3,5 ГГц
|
50,5 дБм
|
21,5 дБ
|
30 дБ
|
40 В
|
|
5,65 А
|
51 %
|
PULSE
|
|
|
|
GN
|
2,7 ГГц
|
6,2 ГГц
|
45 дБм
|
20 дБ
|
30 дБ
|
28 В
|
|
3,5 А
|
35 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
4 ГГц
|
8 ГГц
|
47 дБм
|
18 дБ
|
23 дБ
|
28 В
|
|
6 А
|
40 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
4 ГГц
|
10 ГГц
|
44 дБм
|
21 дБ
|
33 дБ
|
28 В
|
|
3,1 А
|
38 %
|
CW
|
|
Настройки
Отображение колонок
Особенностями усилителей мощности (Power Amplifiers) является высокий уровень выходной СВЧ мощности прибора, а также работа в нелинейных режимах. Это свойство критически важно для построения выходной (передающей) части СВЧ устройств. Усилители для высоких частот и широкодиапазонные усилители построены на базе технологии нитрида галлия (GaN). Усилители мощности для низких частот часто изготавливаются по кремниевой технологии (LDMOS).