Усилители мощности
Всего товаров: 111
Товаров на странице:
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GN
|
5 ГГц
|
6 ГГц
|
45,5 дБм
|
23,5 дБ
|
29,5 дБ
|
28 В
|
|
2,3 А
|
58 %
|
PULSE
|
|
|
|
GN
|
5 ГГц
|
6 ГГц
|
47 дБм
|
25 дБ
|
33 дБ
|
28 В
|
|
3,1 А
|
62 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
5 ГГц
|
6 ГГц
|
49 дБм
|
26 дБ
|
32 дБ
|
28 В
|
|
5,5 А
|
53 %
|
PULSE
|
|
|
|
GN
|
5 ГГц
|
9 ГГц
|
43 дБм
|
20 дБ
|
32 дБ
|
28 В
|
|
1,8 А
|
50 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
5 ГГц
|
12 ГГц
|
42 дБм
|
20 дБ
|
30 дБ
|
28 В
|
|
2 А
|
38 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
5 ГГц
|
12 ГГц
|
46 дБм
|
21 дБ
|
30 дБ
|
28 В
|
|
5,5 А
|
30 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
5 ГГц
|
14 ГГц
|
42 дБм
|
20 дБ
|
30 дБ
|
28 В
|
|
2 А
|
38 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
6 ГГц
|
18 ГГц
|
38 дБм
|
18 дБ
|
28 дБ
|
28 В
|
|
1,1 А
|
26 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
6 ГГц
|
18 ГГц
|
41 дБм
|
16 дБ
|
28 дБ
|
28 В
|
|
2,3 А
|
25 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
6 ГГц
|
18 ГГц
|
43,5 дБм
|
18 дБ
|
30 дБ
|
28 В
|
|
4,2 А
|
22 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
7 ГГц
|
11 ГГц
|
47 дБм
|
19 дБ
|
29 дБ
|
28 В
|
|
5 А
|
48 %
|
PULSE
|
|
|
|
GN
|
8 ГГц
|
9 ГГц
|
48 дБм
|
23 дБ
|
25 дБ
|
28 В
|
|
5,5 А
|
48 %
|
PULSE
|
|
|
|
GN
|
8 ГГц
|
12 ГГц
|
43 дБм
|
22 дБ
|
34 дБ
|
28 В
|
|
1,6 А
|
54 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
8 ГГц
|
12 ГГц
|
46 дБм
|
21 дБ
|
36 дБ
|
28 В
|
|
3,1 А
|
47 %
|
PULSE
|
|
|
|
GN
|
8 ГГц
|
12 ГГц
|
47 дБм
|
19 дБ
|
29 дБ
|
28 В
|
|
5,5 А
|
48 %
|
PULSE
|
|
|
|
GN
|
8 ГГц
|
12 ГГц
|
48 дБм
|
20 дБ
|
32 дБ
|
28 В
|
|
6,5 А
|
40 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
8 ГГц
|
18 ГГц
|
43 дБм
|
20 дБ
|
28 дБ
|
28 В
|
|
3 А
|
27 %
|
PULSE
|
|
|
|
GN
|
8 ГГц
|
18 ГГц
|
44 дБм
|
18 дБ
|
30 дБ
|
28 В
|
|
3,5 А
|
30 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
8,5 ГГц
|
10,5 ГГц
|
29 дБм
|
16 дБ
|
19 дБ
|
28 В
|
|
0,14 А
|
18 %
|
CW
|
|
|
|
GN
|
8,5 ГГц
|
10,5 ГГц
|
44,5 дБм
|
23,5 дБ
|
32 дБ
|
28 В
|
|
2,3 А
|
51 %
|
PULSE
|
|
Настройки
Отображение колонок
Особенностями усилителей мощности (Power Amplifiers) является высокий уровень выходной СВЧ мощности прибора, а также работа в нелинейных режимах. Это свойство критически важно для построения выходной (передающей) части СВЧ устройств. Усилители для высоких частот и широкодиапазонные усилители построены на базе технологии нитрида галлия (GaN). Усилители мощности для низких частот часто изготавливаются по кремниевой технологии (LDMOS).