СВЧ транзисторы
Всего товаров: 313
Товаров на странице:
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GN0
|
1,2 ГГц
|
1,4 ГГц
|
1000 Вт
|
55 %
|
14 дБ
|
50 В
|
импульсный
|
металло-керамический
|
|
|
|
GNI
|
0,03 ГГц
|
0,1 ГГц
|
1300 Вт
|
55 %
|
12 дБ
|
50 В
|
импульсный
|
металло-керамический
|
|
|
|
GNI
|
0,3 ГГц
|
0,8 ГГц
|
100 Вт
|
45 %
|
10 дБ
|
28 В
|
CW
|
|
27,4x30,8x5,0 мм
|
|
|
GNI
|
0,3 ГГц
|
2 ГГц
|
25 Вт
|
40 %
|
32 дБ
|
28 В
|
CW
|
|
22,4x25,5x5,0 мм
|
|
|
GNI
|
0,45 ГГц
|
0,48 ГГц
|
1300 Вт
|
55 %
|
12 дБ
|
50 В
|
импульсный
|
металло-керамический
|
|
|
|
GNI
|
0,8 ГГц
|
2,5 ГГц
|
200 Вт
|
40 %
|
10 дБ
|
40 В
|
импульсный
|
металло-керамический
|
|
|
|
GNI
|
0,5 ГГц
|
3 ГГц
|
80 Вт
|
38 %
|
10 дБ
|
28 В
|
CW
|
|
34,8x31,5x5,0 мм
|
|
|
GNI
|
0,5 ГГц
|
6 ГГц
|
40 Вт
|
30 %
|
6 дБ
|
28 В
|
CW
|
|
27,4x30,8x5,0 мм
|
|
|
GNI
|
0,7 ГГц
|
6 ГГц
|
25 Вт
|
40 %
|
9 дБ
|
28 В
|
CW
|
|
21,7x24,2x4,7 мм
|
|
|
GNI
|
0,8 ГГц
|
2 ГГц
|
100 Вт
|
45 %
|
9 дБ
|
45 В
|
непрерывный
|
металло-керамический
|
30,8x27,4x5,0 мм
|
|
|
GNI
|
0,8 ГГц
|
2 ГГц
|
50 Вт
|
50 %
|
10 дБ
|
28 В
|
непрерывный
|
металло-керамический
|
|
|
|
GNI
|
0,8 ГГц
|
2 ГГц
|
50 Вт
|
50 %
|
10 дБ
|
28 В
|
CW
|
|
24,0x17,4x5,0 мм
|
|
|
GNI
|
0,8 ГГц
|
2 ГГц
|
100 Вт
|
45 %
|
10 дБ
|
28 В
|
CW
|
|
27,4x30,8x5,0 мм
|
|
|
GNI
|
0,8 ГГц
|
2 ГГц
|
200 Вт
|
45 %
|
12 дБ
|
28 В
|
100us, 10%
|
|
27,4x30,8x5,0 мм
|
|
|
GNI
|
0,8 ГГц
|
2 ГГц
|
400 Вт
|
45 %
|
13 дБ
|
28 В
|
100us, 10%
|
|
27,4x30,8x5,0 мм
|
|
|
GNI
|
0,8 ГГц
|
2,5 ГГц
|
20 Вт
|
50 %
|
10 дБ
|
32 В
|
непрерывный
|
металло-керамический
|
|
|
|
GNI
|
0,8 ГГц
|
4,2 ГГц
|
50 Вт
|
40 %
|
10 дБ
|
28 В
|
CW
|
|
27,4x30,8x5,0 мм
|
|
|
GNI
|
0,8 ГГц
|
4,2 ГГц
|
80 Вт
|
45 %
|
11 дБ
|
28 В
|
CW
|
|
27,4x30,8x5,0 мм
|
|
|
GNI
|
0,8 ГГц
|
4,2 ГГц
|
150 Вт
|
35 %
|
9 дБ
|
48 В
|
100us, 10%
|
|
27,4x30,8x5,0 мм
|
|
|
GNI
|
0,8 ГГц
|
4,2 ГГц
|
200 Вт
|
40 %
|
9 дБ
|
50 В
|
импульсный
|
металло-керамический
|
|
Настройки
Отображение колонок
СВЧ транзисторы (RF Transistors) это базовый класс полупроводниковых устройств используемых для построенияусилителей мощности. Транзисторы могут быть сделаны по технологии нитрида галлия (GaN), арсенида галлия (GaAs), или кремния (LDMOS или SiGe). Наиболее высокие характеристики в части плотности мощности достигаются в полевых транзисторах (FEM) с высокой подвижностью электронов (HEMT) на базе GaN. Частотные характеристики транзистора определяются длинной затвора, которая имеет типичный значения 0,15 мкм, 0,25 мкм для GaN продуктов. Транзисторы СВЧ могут поставляться в виде чипов (Bare die), или в виде корпусированных компонентов, которые в свою очередь могут быть согласованными (Pre-matched Transistors, Inter-Matched Transistors, IMFEM) или несогласованными (Unmatched Transistors).