СВЧ транзисторы
Всего товаров: 313
Товаров на странице:
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NDNM
|
2,494 ГГц
|
2,496 ГГц
|
40 Вт
|
55 %
|
11,5 дБ
|
28 В
|
постоянный
|
H102-11
|
22,9x9,9x5,5 мм
|
|
|
|
NDNM
|
0 ГГц
|
6 ГГц
|
50 Вт
|
55 %
|
13 дБ
|
28 В
|
постоянный
|
JY02F002
|
20,32x5,84x5,0 мм
|
|
|
|
NDNM
|
0,14 ГГц
|
0,27 ГГц
|
400 Вт
|
68 %
|
17 дБ
|
50 В
|
импульсный
|
JY04F503
|
41,1x10,1x3,4 мм
|
|
|
|
NDNM
|
0,3 ГГц
|
2 ГГц
|
100 Вт
|
50 %
|
9 дБ
|
28/-2,6 В
|
постоянный
|
JY02F015
|
26,1x10,2x3,7 мм
|
|
|
|
NDNM
|
0,41 ГГц
|
0,48 ГГц
|
1500 Вт
|
72 %
|
18,5 дБ
|
60 В
|
импульсный
|
JY04F503
|
41,1x10,1x3,4 мм
|
|
|
|
NDNM
|
0,96 ГГц
|
1,25 ГГц
|
800 Вт
|
65 %
|
15 дБ
|
50 В
|
импульсный
|
JY02F019
|
29,3x10,2x3,7 мм
|
|
|
|
NDNM
|
1,2 ГГц
|
1,3 ГГц
|
500 Вт
|
72 %
|
15 дБ
|
50 В
|
импульсный
|
JY02F015
|
26,1x10,2x3,7 мм
|
|
|
|
NDNM
|
9,5 ГГц
|
10,5 ГГц
|
70 Вт
|
35 %
|
8 дБ
|
28 В
|
постоянный
|
C164-1
|
24,0x17,4x4,4 мм
|
|
|
|
NDNM
|
9,5 ГГц
|
10,5 ГГц
|
150 Вт
|
38 %
|
8 дБ
|
28 В
|
импульсный
|
C164-1
|
24,0x17,4x4,4 мм
|
|
|
|
NDNM
|
10 ГГц
|
10,4 ГГц
|
70 Вт
|
32 %
|
7,5 дБ
|
28 В
|
постоянный
|
C164-2
|
24,0x17,4x5,0 мм
|
|
|
|
NDNM
|
14,9 ГГц
|
15,1 ГГц
|
6 Вт
|
30 %
|
5 дБ
|
28 В
|
постоянный
|
C129-10
|
21,0x12,9x4,7 мм
|
|
|
|
NDNM
|
14,9 ГГц
|
15,1 ГГц
|
20 Вт
|
30 %
|
5 дБ
|
28 В
|
постоянный
|
C129-10
|
21,0x12,9x4,7 мм
|
|
|
|
NDNM
|
10,9 ГГц
|
11,7 ГГц
|
50 Вт
|
35 %
|
7 дБ
|
28 В
|
постоянный
|
C164-1
|
24,0x17,4x4,4 мм
|
Настройки
Отображение колонок
СВЧ транзисторы (RF Transistors) это базовый класс полупроводниковых устройств используемых для построенияусилителей мощности. Транзисторы могут быть сделаны по технологии нитрида галлия (GaN), арсенида галлия (GaAs), или кремния (LDMOS или SiGe). Наиболее высокие характеристики в части плотности мощности достигаются в полевых транзисторах (FEM) с высокой подвижностью электронов (HEMT) на базе GaN. Частотные характеристики транзистора определяются длинной затвора, которая имеет типичный значения 0,15 мкм, 0,25 мкм для GaN продуктов. Транзисторы СВЧ могут поставляться в виде чипов (Bare die), или в виде корпусированных компонентов, которые в свою очередь могут быть согласованными (Pre-matched Transistors, Inter-Matched Transistors, IMFEM) или несогласованными (Unmatched Transistors).
Новости
31 марта 2025
Qatron представляет несогласованный GaN-транзистор QA20060-30GLL, разработанный на базе технологии GaN HEMT с техпроцессом 0,25 мкм.
18 июля 2023
Компания Hisiwell (КНР) предлагает pin-to-pin замены ведущих мировых производителей GaN транзисторов и ИС.
10 февраля 2023
Компания Elite Optical Electrical Technology представила внутренне согласованный транзистор выходной мощностью более 3 кВт в частотном диапазоне 9-9,5 ГГц – GNI090095-P65.
28 июня 2021
Компания Noletec начала поставки СВЧ транзисторов, изготовленных по технологии Gan-on-SiC и предлагает свою продукцию для диапазонов частот L, S, C, X и мощностями до 100 Вт и выше.
25 июня 2018
Компания Neditek (CETC55, КНР) выпускает мощный согласованный СВЧ-транзистор, изготовленный по технологии GaN HEMT 0,25 мкм – NDNM01161.