Силовая электроника
Отображение колонок
Традиционные кремниевые IGBT и новейшие SiC MOSFET транзисторы, а также тиристорные и IGCT модули, диоды, драйверы, конденсаторы, ферриты, ламинированные шины, датчики тока и напряжения.
Новости
Компания AMG Power расширила семейство SiC МОП-транзисторов 12 класса нового поколения Gen3 с управляющим напряжением -5/+15 В и напряжением сток-исток 1200 В.
Компания Global Power Technology выпустила SiC МОП-транзистор 1200 В 80 мОм 42,9 А в корпусе TO-247-4 – G1M080120N.
Статьи
Повышение эффективности путем использования высоковольтных SiC-диодов в повышающих преобразователях ККМ может применяться для увеличения выходной мощности и частоты переключения с целью снижения габаритов изделия или повышения его надежности. В то же время использование SiC-диодов Шоттки позволяет уменьшить EMI.
В статье описывается простой и удобный способ уменьшить номиналы компонентов фильтра ЭМИ и сэкономить на их стоимости без ущерба в работе источника питания.
В статье рассмотрены особенности оптронов для управления затвором транзисторов компании Avago Technologies, используемых для надежного управления и защиты карбидокремниевых MOSFET, которые находят все более широкое применение на рынке силовых полупроводников.