MRAM
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MR25H
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
DFN-8
|
-40…+85 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
SPI
|
8 бит
|
46,5 мА
|
1140 шт
|
570 шт
|
|
|
|
MR25H
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
DFN-8
|
-40…+85 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
SPI
|
8 бит
|
46,5 мА
|
4000 шт
|
4000 шт
|
|
|
|
MR25H
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
DFN-8
|
0…+70 ℃
|
812 K x 8
|
35 нс
|
SPI
|
8 бит
|
17,42 мА
|
1140 шт
|
570 шт
|
|
|
|
MR25H
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
DFN-8
|
0…+70 ℃
|
812 K x 8
|
35 нс
|
SPI
|
8 бит
|
17,42 мА
|
4000 шт
|
4000 шт
|
|
|
|
MR25H
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
DFN-8
|
-40…+125 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
SPI
|
8 бит
|
46,5 мА
|
1140 шт
|
570 шт
|
|
|
|
MR25H
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
DFN-8
|
-40…+125 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
SPI
|
8 бит
|
46,5 мА
|
4000 шт
|
4000 шт
|
|
|
|
MR25H
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
DFN-8
|
-40…+105 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
SPI
|
8 бит
|
46,5 мА
|
1140 шт
|
570 шт
|
|
|
|
MR25H
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
DFN-8
|
-40…+105 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
SPI
|
8 бит
|
46,5 мА
|
4000 шт
|
4000 шт
|
|
|
|
MR2A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
BGA-48
|
-40…+85 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
50 мА
|
696 шт
|
348 шт
|
|
|
|
MR2A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
BGA-48
|
-40…+85 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
50 мА
|
2000 шт
|
2000 шт
|
|
|
|
MR2A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
TSOP-44
|
-40…+85 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
50 мА
|
270 шт
|
135 шт
|
|
|
|
MR2A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
TSOP-44
|
-40…+85 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
50 мА
|
1500 шт
|
1500 шт
|
|
|
|
MR2A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
BGA-48
|
0…+70 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
50 мА
|
696 шт
|
348 шт
|
|
|
|
MR2A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
BGA-48
|
0…+70 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
50 мА
|
2000 шт
|
2000 шт
|
|
|
|
MR2A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
TSOP-44
|
-40…+125 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
50 мА
|
270 шт
|
135 шт
|
|
|
|
MR2A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
TSOP-44
|
-40…+125 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
50 мА
|
1500 шт
|
1500 шт
|
|
|
|
MR2A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
TSOP-44
|
0…+70 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
50 мА
|
270 шт
|
135 шт
|
|
|
|
MR2A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
TSOP-44
|
0…+70 ℃
|
512 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
50 мА
|
1500 шт
|
1500 шт
|
|
|
|
MR2A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
BGA-48
|
-40…+85 ℃
|
256 K x 16
|
35 нс
|
Parallel
|
16 бит
|
105 мА
|
696 шт
|
348 шт
|
|
|
|
MR2A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
4 Мбит
|
BGA-48
|
-40…+85 ℃
|
256 K x 16
|
35 нс
|
Parallel
|
16 бит
|
105 мА
|
2000 шт
|
2000 шт
|
Отображение колонок
Особенности MRAM:
- Время цикла чтения/записи сравнимое с SRAM
- Неограниченное количество циклов чтения/записи
- Время хранения информации более 20 лет
- Исполнение для работы в коммерческом, промышленном и автомобильном диапазоне температур
Новости
Компания Everspin объявила о запуске производства образцов нового семейства микросхем памяти с интерфейсами SPI/QSPI/xSPI – серия EMxxLX. Данная серия является самой высокопроизводительной постоянной памятью с полной пропускной способностью чтения и записи 400 Мбайт/c.
Компания Everspin расширила свой ассортимент 16-битной энергонезависимой MRAM памяти с параллельным интерфейсом на 8 и 32 Мбит – семейство MR5A16A.
Компания Everspin Technologies объявила о разработке семейства микросхем ST-MRAM для индустриальных и IoT применений. Ранее микросхемы ST-MRAM производились только в коммерческом диапазоне температур.
Компания Everspin Technologies объявила, что компании Phison Electronics и Sage Microelectronics предоставят встроенную поддержку памяти STT-MRAM на 1 Гбит в своих продуктах.
Компания Everspin Technologies начала поставки образцов микросхемы энергонезависимой магниторезистивной памяти на основе переноса спиновых состояний ST-MRAM с интерфейсом DDR4 объёмом 1 Гбит – EMD4E001G.
Компания Everspin Technologies объявила о вступлении в силу ценовых изменений на свою продукцию.
Производитель Everspin Technologies запустил в серийное производство новую микросхему памяти на 128 Кбит с интерфейсом SPI – MR25H128A.
Производитель Everspin Technologies объявил о начале поставок образцов микросхемы энергонезависимой магниторезистивной памяти ST-MRAM с интерфейсом DDR4 объемом 1 Гбит – EMD4E001G.
Компания Everspin Technologies, производитель микросхем памяти MRAM, объявила о важных изменениях в своей производственной программе.
Компания Everspin Technologies на выставке Electronica 2016 в Мюнхене показала первые образцы микросхемы энергонезависимой памяти ST-MRAM с интерфейсом DDR4 объемом 1 Гбит. Это самый большой объем энергонезависимой памяти с интерфейсом DDR4 из доступных на рынке.
Компания Everspin Technologies объявила о доступности энергонезависимой памяти ST-MRAM в качестве внутренней памяти микроконтроллеров и систем-на-кристалле. Это стало возможным благодаря сотрудничеству с контрактным производителем полупроводниковых интегральных микросхем GLOBALFOUNDRIES.
Вам знакома память MRAM? Нет? Обязательно познакомьтесь с этим перспективным типом памяти на бесплатном вебинаре «Уникальные особенности энергонезависимой памяти MRAM от Everspin». Если вы уже знакомы с MRAM, то тоже обязательно приходите – узнаете о планах и сроках выпуска новых моделей.
Статьи
Для многих беспроводных и портативных приложений, особенно в растущем сегменте «интернет вещей», критическим является энергопотребление (мощность, потребляемая устройством в течении продолжительного периода времени). Основная задача проводимого исследования – это может ли функция fast-Write и power-up-to-Write для MRAM памяти существенно снизить общее энергопотребление системы по сравнению с любой EEPROM или Flash памятью.