Ваш город Эль-Монте?
Да
Нет, выбрать свой
Выбрано: 0
Показать
Всего товаров: 174
Товаров на странице:
Код заказа
Фото В корзину
Серия
Категория
Тип монтажа
Uvc
Плотность памяти
Корпус
T
Организация памяти
Время доступа
Тип интерфейса
Ширина шины данных
Ток потребления
MOQ
MPQ
Код заказа
EMD3D256M08G1-150CBS1
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
EMD3D256M08G1-150CBS1R
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
EMD3D256M16G2-150CBS1
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
EMD3D256M16G2-150CBS1R
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A08BCMA35
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A08BCMA35R
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A08BCYS35
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A08BCYS35R
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A08BMA35
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A08BMA35R
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A08BYS35
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A08BYS35R
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A16ACMA35
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A16ACMA35R
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A16ACYS35
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A16ACYS35R
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A16AMA35
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A16AMA35R
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A16AMYS35
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
MR0A16AMYS35R
Array
(
    [ID] => 28903
    [NAME] => Everspin
    [URL] => /manufacturers/everspin-technologies/
)
Everspin
Фото В корзину
Серия
Категория
Тип монтажа
Uvc
Плотность памяти
Корпус
T
Организация памяти
Время доступа
Тип интерфейса
Ширина шины данных
Ток потребления
MOQ
MPQ
Изображение отсутствует
EMD3
MRAM
SMD/SMT
1,425-1,575  В
256 Мбит
BGA-78
0…+85  ℃
32 M x 8
35 нс
Parallel
8  бит
380  шт
190  шт
Изображение отсутствует
EMD3
MRAM
SMD/SMT
1,425-1,575  В
256 Мбит
BGA-78
0…+85  ℃
32 M x 8
35 нс
Parallel
8  бит
2000  шт
2000  шт
Изображение отсутствует
EMD3
MRAM
SMD/SMT
1,425-1,575  В
256 Мбит
BGA-96
0…+85  ℃
16 M x 16
35 нс
Parallel
16  бит
380  шт
190  шт
Изображение отсутствует
EMD3
MRAM
SMD/SMT
1,425-1,575  В
256 Мбит
BGA-96
0…+85  ℃
16 M x 16
35 нс
Parallel
16  бит
2000  шт
2000  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
BGA-48
-40…+85  ℃
128 K x 8
35 нс
Parallel
8  бит
55  мА
696  шт
348  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
BGA-48
-40…+85  ℃
128 K x 8
35 нс
Parallel
8  бит
55  мА
2000  шт
2000  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
TSOP-44
-40…+85  ℃
128 K x 8
35 нс
Parallel
8  бит
55  мА
270  шт
135  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
TSOP-44
-40…+85  ℃
128 K x 8
35 нс
Parallel
8  бит
55  мА
1500  шт
1500  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
BGA-48
0…+70  ℃
128 K x 8
35 нс
Parallel
8  бит
55  мА
696  шт
348  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
BGA-48
0…+70  ℃
128 K x 8
35 нс
Parallel
8  бит
55  мА
2000  шт
2000  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
TSOP-44
0…+70  ℃
128 K x 8
35 нс
Parallel
8  бит
55  мА
270  шт
135  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
TSOP-44
0…+70  ℃
128 K x 8
35 нс
Parallel
8  бит
55  мА
1500  шт
1500  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
BGA-48
-40…+85  ℃
64 K x 16
35 нс
Parallel
16  бит
105  мА
696  шт
348  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
BGA-48
-40…+85  ℃
64 K x 16
35 нс
Parallel
16  бит
105  мА
2000  шт
2000  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
TSOP-44
-40…+85  ℃
64 K x 16
35 нс
Parallel
16  бит
105  мА
270  шт
135  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
TSOP-44
-40…+85  ℃
64 K x 16
35 нс
Parallel
16  бит
105  мА
1500  шт
1500  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
BGA-48
0…+70  ℃
64 K x 16
35 нс
Parallel
16  бит
105  мА
696  шт
348  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
BGA-48
0…+70  ℃
64 K x 16
35 нс
Parallel
16  бит
105  мА
2000  шт
2000  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
TSOP-44
-40…+125  ℃
64 K x 16
35 нс
Parallel
16  бит
55  мА
270  шт
135  шт
Изображение отсутствует
MR0A
MRAM
SMD/SMT
3-3,6  В
1 Мбит
TSOP-44
-40…+125  ℃
64 K x 16
35 нс
Parallel
16  бит
55  мА
1500  шт
1500  шт
Магниторезистивная оперативная память (MRAM — англ. magneto resistive random access memory) — запоминающее устройство с произвольным доступом, которое хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов.
Особенности MRAM:
  • Время цикла чтения/записи сравнимое с SRAM
  • Неограниченное количество циклов чтения/записи
  • Время хранения информации более 20 лет
  • Исполнение для работы в коммерческом, промышленном и автомобильном диапазоне температур
22 октября 2015

Для многих беспроводных и портативных приложений, особенно в растущем сегменте «интернет вещей», критическим является энергопотребление (мощность, потребляемая устройством в течении продолжительного периода времени). Основная задача проводимого исследования – это может ли функция fast-Write и power-up-to-Write для MRAM памяти существенно снизить общее энергопотребление системы по сравнению с любой EEPROM или Flash памятью.

Вопрос-ответ