MRAM
Всего товаров: 174
Товаров на странице:
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EMD3
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
1,425-1,575 В
|
256 Мбит
|
BGA-78
|
0…+85 ℃
|
32 M x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
|
380 шт
|
190 шт
|
|
|
EMD3
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
1,425-1,575 В
|
256 Мбит
|
BGA-78
|
0…+85 ℃
|
32 M x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
|
2000 шт
|
2000 шт
|
|
|
EMD3
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
1,425-1,575 В
|
256 Мбит
|
BGA-96
|
0…+85 ℃
|
16 M x 16
|
35 нс
|
Parallel
|
16 бит
|
|
380 шт
|
190 шт
|
|
|
EMD3
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
1,425-1,575 В
|
256 Мбит
|
BGA-96
|
0…+85 ℃
|
16 M x 16
|
35 нс
|
Parallel
|
16 бит
|
|
2000 шт
|
2000 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
BGA-48
|
-40…+85 ℃
|
128 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
55 мА
|
696 шт
|
348 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
BGA-48
|
-40…+85 ℃
|
128 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
55 мА
|
2000 шт
|
2000 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
TSOP-44
|
-40…+85 ℃
|
128 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
55 мА
|
270 шт
|
135 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
TSOP-44
|
-40…+85 ℃
|
128 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
55 мА
|
1500 шт
|
1500 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
BGA-48
|
0…+70 ℃
|
128 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
55 мА
|
696 шт
|
348 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
BGA-48
|
0…+70 ℃
|
128 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
55 мА
|
2000 шт
|
2000 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
TSOP-44
|
0…+70 ℃
|
128 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
55 мА
|
270 шт
|
135 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
TSOP-44
|
0…+70 ℃
|
128 K x 8
|
35 нс
|
Parallel
|
8 бит
|
55 мА
|
1500 шт
|
1500 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
BGA-48
|
-40…+85 ℃
|
64 K x 16
|
35 нс
|
Parallel
|
16 бит
|
105 мА
|
696 шт
|
348 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
BGA-48
|
-40…+85 ℃
|
64 K x 16
|
35 нс
|
Parallel
|
16 бит
|
105 мА
|
2000 шт
|
2000 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
TSOP-44
|
-40…+85 ℃
|
64 K x 16
|
35 нс
|
Parallel
|
16 бит
|
105 мА
|
270 шт
|
135 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
TSOP-44
|
-40…+85 ℃
|
64 K x 16
|
35 нс
|
Parallel
|
16 бит
|
105 мА
|
1500 шт
|
1500 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
BGA-48
|
0…+70 ℃
|
64 K x 16
|
35 нс
|
Parallel
|
16 бит
|
105 мА
|
696 шт
|
348 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
BGA-48
|
0…+70 ℃
|
64 K x 16
|
35 нс
|
Parallel
|
16 бит
|
105 мА
|
2000 шт
|
2000 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
TSOP-44
|
-40…+125 ℃
|
64 K x 16
|
35 нс
|
Parallel
|
16 бит
|
55 мА
|
270 шт
|
135 шт
|
|
|
MR0A
|
MRAM
|
SMD/SMT
|
3-3,6 В
|
1 Мбит
|
TSOP-44
|
-40…+125 ℃
|
64 K x 16
|
35 нс
|
Parallel
|
16 бит
|
55 мА
|
1500 шт
|
1500 шт
|
Настройки
Отображение колонок
Магниторезистивная оперативная память (MRAM — англ. magneto resistive random access memory) — запоминающее устройство с произвольным доступом, которое хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов.
Особенности MRAM:
Особенности MRAM:
- Время цикла чтения/записи сравнимое с SRAM
- Неограниченное количество циклов чтения/записи
- Время хранения информации более 20 лет
- Исполнение для работы в коммерческом, промышленном и автомобильном диапазоне температур