Микросхемы Flash памяти
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
F1D
|
Flash NAND 3D
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
16 Гбайт
|
153-BGA
|
0…+85 ℃
|
|
2,7 В
|
|
100 шт
|
100 шт
|
|
|
|
G1D
|
Flash NAND 3D
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
32 Гбайт
|
153-BGA
|
0…+85 ℃
|
|
2,7 В
|
|
100 шт
|
100 шт
|
|
|
|
H1D
|
Flash NAND 3D
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
64 Гбайт
|
153-BGA
|
0…+85 ℃
|
|
2,7 В
|
|
100 шт
|
100 шт
|
 |
|
W25M
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
1,95 В
|
2 Гбит
|
SOIC-16
|
-40…85 ℃
|
256M x 8
|
1,7 В
|
104 МГц
|
44 шт
|
|
|
|
|
W25M
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
1 Гбит
|
SOIC-16
|
-40…85 ℃
|
128M x 8
|
2,7 В
|
133 МГц
|
1000 шт
|
|
|
|
|
W25M
|
NOR Flash
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
2 Гбит
|
WSON-8
|
-40…85 ℃
|
32M x 32
|
2,7 В
|
104 МГц
|
|
|
 |
|
W25N
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
1,9 В
|
1 Гбит
|
SOIC-16
|
0…85 ℃
|
128M x 8
|
1,7 В
|
133 МГц
|
308 шт
|
|
|
|
|
W25N
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
64 Мбит
|
SOIC-16
|
0…70 ℃
|
2M x 32
|
3 В
|
166 МГц
|
1000 шт
|
|
|
|
|
W25N
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
128 Мбит
|
SOIC-16
|
-40…85 ℃
|
16M x 8
|
2,7 В
|
133 МГц
|
308 шт
|
|
|
|
|
W25N
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
32 Мбит
|
SOIC-16
|
-40…85 ℃
|
4M x 8
|
2,7 В
|
133 МГц
|
1000 шт
|
|
 |
|
W25N
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
1,95 В
|
64 Мбит
|
TFBGA-24
|
-40…85 ℃
|
8M x 8
|
1,7 В
|
133 МГц
|
2000 шт
|
|
|
|
|
W25N
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
1 Гбит
|
TFBGA-24
|
-40…85 ℃
|
128M x 8
|
2,7 В
|
104 МГц
|
480 шт
|
|
|
|
|
W25N
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
256 Мбит
|
TFBGA-24
|
-40…85 ℃
|
32M x 8
|
2,7 В
|
133 МГц
|
2000 шт
|
|
|
|
|
W25N
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
256 Мбит
|
TFBGA-24
|
-40…85 ℃
|
32M x 8
|
2,7 В
|
133 МГц
|
480 шт
|
|
|
|
|
W25N
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
512 Мбит
|
TFBGA-24
|
-40…85 ℃
|
32M x 16
|
2,7 В
|
133 МГц
|
2000 шт
|
|
|
|
|
W25N
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
256 Мбит
|
TFBGA-24
|
-40…85 ℃
|
32M x 8
|
2,7 В
|
133 МГц
|
480 шт
|
|
|
|
|
W25N
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
1 Гбит
|
TFBGA-24
|
-40…85 ℃
|
128M x 8
|
2,7 В
|
104 МГц
|
2000 шт
|
|
|
|
|
W25N
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
256 Мбит
|
TFBGA-24
|
-40…85 ℃
|
32M x 8
|
2,7 В
|
133 МГц
|
480 шт
|
|
|
|
|
W25N
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
1,95 В
|
64 Мбит
|
TFBGA-24
|
-40…85 ℃
|
8M x 8
|
1,7 В
|
133 МГц
|
2000 шт
|
|
|
|
|
W25N
|
NAND Flash
|
SMD/SMT
|
3,6 В
|
2 Гбит
|
TFBGA-24
|
-40…85 ℃
|
256M x 8
|
2,7 В
|
104 МГц
|
480 шт
|
|
Отображение колонок
Flash память представляет собой одну из разновидностей полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти.
Высокий спрос на микросхемы Flash памяти обусловлен целым рядом преимуществ, которые высоко ценят современные разработчики электроники:
- минимальный размер с возможностью хранения больших объёмов данных;
- низкое энергопотребление;
- полная энергонезависимость;
- длительность хранения информации;
- невысокая стоимость.
Новости
Тайваньская компания-производитель UD Info представила USB флеш-накопители, разработанные для промышленных решений, требующих надёжности и производительности – серия UF3-ALUM.
Корпорация Winbond Electronics объявила о расширении своей линейки SPI NOR Flash, представив одинарную монолитную флеш-память SPI NOR 1,8 В 512 MB, которая может поддерживать стандартную/двойную частоту до 166 МГц/quad SPI clocks.
Компания Winbond Electronics объявила о получении уровня PSA Certified Level 2 Ready в схеме независимой гарантии безопасности для семейства микросхем защищенной флэш памяти TrustME W75F Secure Flash.
Компания Winbond Electronics объявила о расширении своего инновационного семейства микросхем памяти TrustME Secure Flash, представив серию для IoT, интеллектуальных потребительских и промышленных устройств – серия W77Q.
На выставке «Электроника 2018» в Мюнхене компания Winbond Electronics анонсировала дальнейшее развитие семейства микросхем памяти SPI NOR Flash W25Q-ND плотностью 64 Мбит и 128 Мбит напряжением 1,2 В и семейства SLC NAND /SPI NAND Flash на 2 Гбит.