Ваш город Эль-Монте?
Да
Нет, выбрать свой
Выбрано: 0
Показать
Всего товаров: 644
Товаров на странице:
Код заказа
Фото В корзину
Серия
Категория
Тип монтажа
Uvc
Плотность памяти
Корпус
T
Организация памяти
Напряжение питания мин.
Рабочая частота
MOQ
MPQ
Код заказа
MB12G16GAP-1600C
Array
(
    [ID] => 589767
    [NAME] => MMY
    [URL] => /manufacturers/mmy/
)
MMY
MB12G16GAP-1866C
Array
(
    [ID] => 589767
    [NAME] => MMY
    [URL] => /manufacturers/mmy/
)
MMY
MB14G08GAP-1600C
Array
(
    [ID] => 589767
    [NAME] => MMY
    [URL] => /manufacturers/mmy/
)
MMY
MB14G08GAP-1866C
Array
(
    [ID] => 589767
    [NAME] => MMY
    [URL] => /manufacturers/mmy/
)
MMY
MD22G16GAP-1600C
Array
(
    [ID] => 589767
    [NAME] => MMY
    [URL] => /manufacturers/mmy/
)
MMY
MD22G16GAP-1866C
Array
(
    [ID] => 589767
    [NAME] => MMY
    [URL] => /manufacturers/mmy/
)
MMY
MD24G08GAP-1600C
Array
(
    [ID] => 589767
    [NAME] => MMY
    [URL] => /manufacturers/mmy/
)
MMY
MD24G08GAP-1866C
Array
(
    [ID] => 589767
    [NAME] => MMY
    [URL] => /manufacturers/mmy/
)
MMY
MMBM102HPR-2133C
Array
(
    [ID] => 589767
    [NAME] => MMY
    [URL] => /manufacturers/mmy/
)
MMY
MMBM102HPR-2133I
Array
(
    [ID] => 589767
    [NAME] => MMY
    [URL] => /manufacturers/mmy/
)
MMY
MMBM102HPR-2133M
Array
(
    [ID] => 589767
    [NAME] => MMY
    [URL] => /manufacturers/mmy/
)
MMY
W631GG6MB-09
Array
(
    [ID] => 28975
    [NAME] => Winbond
    [URL] => /manufacturers/winbond-electronics/
)
Winbond
W631GG6MB-09 TR
Array
(
    [ID] => 28975
    [NAME] => Winbond
    [URL] => /manufacturers/winbond-electronics/
)
Winbond
W631GG6MB-11 TR
Array
(
    [ID] => 28975
    [NAME] => Winbond
    [URL] => /manufacturers/winbond-electronics/
)
Winbond
W631GG6MB-12 TR
Array
(
    [ID] => 28975
    [NAME] => Winbond
    [URL] => /manufacturers/winbond-electronics/
)
Winbond
W631GG6MB-15 TR
Array
(
    [ID] => 28975
    [NAME] => Winbond
    [URL] => /manufacturers/winbond-electronics/
)
Winbond
W631GG6MB09I
Array
(
    [ID] => 28975
    [NAME] => Winbond
    [URL] => /manufacturers/winbond-electronics/
)
Winbond
W631GG6MB09I TR
Array
(
    [ID] => 28975
    [NAME] => Winbond
    [URL] => /manufacturers/winbond-electronics/
)
Winbond
W631GG6MB11I
Array
(
    [ID] => 28975
    [NAME] => Winbond
    [URL] => /manufacturers/winbond-electronics/
)
Winbond
W631GG6MB11I TR
Array
(
    [ID] => 28975
    [NAME] => Winbond
    [URL] => /manufacturers/winbond-electronics/
)
Winbond
Фото В корзину
Серия
Категория
Тип монтажа
Uvc
Плотность памяти
Корпус
T
Организация памяти
Напряжение питания мин.
Рабочая частота
MOQ
MPQ
Изображение отсутствует
MB
SDRAM
SMD/SMT
1,5  В
4 Гбит
96-BGA
0…+85  ℃
256M x 16
1,5  В
100  шт
100  шт
Изображение отсутствует
MB
SDRAM
SMD/SMT
1,5  В
4 Гбит
96-BGA
0…+85  ℃
256M x 16
1,5  В
100  шт
100  шт
Изображение отсутствует
MB
SDRAM
SMD/SMT
1,5  В
4 Гбит
78-BGA
0…+85  ℃
512M x 8
1,5  В
100  шт
100  шт
Изображение отсутствует
MB
SDRAM
SMD/SMT
1,5  В
4 Гбит
78-BGA
0…+85  ℃
512M x 8
1,5  В
100  шт
100  шт
Изображение отсутствует
MD
SDRAM
SMD/SMT
1,35  В
4 Гбит
96-BGA
0…+85  ℃
256M x 16
1,35  В
100  шт
100  шт
Изображение отсутствует
MD
SDRAM
SMD/SMT
1,35  В
4 Гбит
96-BGA
0…+85  ℃
256M x 16
1,35  В
100  шт
100  шт
Изображение отсутствует
MD
SDRAM
SMD/SMT
1,35  В
4 Гбит
78-BGA
0…+85  ℃
512M x 8
1,35  В
100  шт
100  шт
Изображение отсутствует
MD
SDRAM
SMD/SMT
1,35  В
4 Гбит
78-BGA
0…+85  ℃
512M x 8
1,35  В
100  шт
100  шт
Изображение отсутствует
MMBM
SDRAM
SMD/SMT
1,8  В
16 Гбит
200-BGA
0…+85  ℃
8Gb x16
0,6  В
100  шт
100  шт
Изображение отсутствует
MMBM
SDRAM
SMD/SMT
1,8  В
16 Гбит
200-BGA
-40…+85  ℃
8Gb x16
0,6  В
100  шт
100  шт
Изображение отсутствует
MMBM
SDRAM
SMD/SMT
1,8  В
16 Гбит
200-BGA
-20…+85  ℃
8Gb x16
0,6  В
100  шт
100  шт
Изображение отсутствует
W
DRAM
SMD/SMT
1,45  В
1 Гбит
VFBGA-96
-40…95  ℃
128M x 8
1,283  В
933  МГц
396  шт
Изображение отсутствует
W
DRAM
SMD/SMT
1,45  В
1 Гбит
VFBGA-96
-40…95  ℃
64M x 16
1,283  В
933  МГц
3000  шт
Изображение отсутствует
W
DRAM
SMD/SMT
1,575  В
1 Гбит
VFBGA-96
-40…95  ℃
64M x 16
1,425  В
933  МГц
3000  шт
Изображение отсутствует
W
DRAM
SMD/SMT
1,45  В
4 Гбит
VFBGA-96
-40…95  ℃
256M x 16
1,283  В
933  МГц
3000  шт
Изображение отсутствует
W
DRAM
SMD/SMT
1,45  В
1 Гбит
VFBGA-96
0…95  ℃
64M x 16
1,283  В
667  МГц
3000  шт
Изображение отсутствует
W
DRAM
SMD/SMT
1,95  В
512 Мбит
VFBGA-96
-40…85  ℃
32M x 16
1,14  В
533  МГц
198  шт
Изображение отсутствует
W
DRAM
SMD/SMT
1,95  В
2 Гбит
VFBGA-96
-25…85  ℃
64M x 32
1,14  В
933  МГц
3000  шт
Изображение отсутствует
W
DRAM
SMD/SMT
1,95  В
2 Гбит
VFBGA-96
0…85  ℃
256M x 8
1,7  В
133  МГц
198  шт
Изображение отсутствует
W
DRAM
SMD/SMT
1,95  В
1 Гбит
VFBGA-96
-40…85  ℃
32M x 32
1,14  В
533  МГц
3000  шт
Динамическая оперативная память или dynamic random access memory (DRAM) — это оперативная энергозависимая память с произвольным доступом к считыванию информации. Сегодня память типа DRAM (в различных модификациях) является основным компонентом вычислительной техники благодаря наилучшему соотношению цены и качества.Производительность микросхем динамической памяти во многом зависит от рабочей частоты и тайминга — задержки времени полного доступа (между подачей номеров столбца и строки) и рабочего цикла (между запросом номера столбца и получением данных ячейки). Задержка измеряется в наносекундах или тактах, и чем они меньше, тем более высокая производительность микросхем DRAM.Основными преимуществами динамической памяти являются малая себестоимость и высокая степень упаковки, позволяющая создавать микросхемы большой ёмкости. Недостатки — динамическая память имеет меньшее быстродействие в сравнении со статической, необходимость восстановления заряда конденсатора. В целом же динамический тип оперативной памяти является основным в большинстве современных вычислительных устройств.Синхронная DRAM память (SDRAM)
С момента своего появления микросхемы динамической памяти постоянно совершенствовались, увеличивался их объём и производительность, уменьшались размеры и тайминг. Первым типом памяти, успешно работающим при частоте системной шины от 100 МГц и более (обусловленной выпуском новых процессоров) стала синхронная динамическая память — SDRAM. Её особенностью является синхронная работа с контроллером памяти, обеспечивающая конвейерную обработку информации — возможность отсылать запрос на считывание новой информации до завершения считывания предыдущей для уменьшения тайминга. Усложненный процесс считывания привел к усложнению контроллера, впервые был использован тактовый генератор для синхронизации всех сигналов.
27 июня 2023
Компания MMY объявила о расширении своей линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ.
20 октября 2016

Компания Winbond Electronics анонсировала выпуск микросхемы DDR3/3L SDRAM низкой плотности 512 Мбит c тремя вариантами рабочего температурного диапазона, в том числе автомобильным: -40…+105°C.

Вопрос-ответ