Модули и микросхемы памяти
Отображение колонок
Данные устройства классифицируются по нескольким основным параметрам:
- Энергонезависимость памяти — необходимость наличия внешнего источника питания для сохранения записанной в ней информации.
- Возможность перезаписи информации.
- Способ доступа к информации.
- Энергонезависимость
- Информационная ёмкость
- Организация
- Энергопотребление
- Быстродейтсвие(время считывания информации, время цикла обращения к памяти в устройствах с произвольным доступом)
- Напряжение питания
- Диапазон температур
Видео
Технология MRAM (Magnetoresistive RAM) разрабатывается с 1990х годов. Однако ещё многие разработчики с ней незнакомы.
Быстродействие MRAM сравнимо с SRAM, плотность ячеек такая же как у DRAM при меньшем энергопотреблении. Быстродействие и плотность ячеек выше, чем у FRAM. Энергонезависимая память MRAM более быстрая и не страдает деградацией по прошествии времени в сравнении с энергонезависимой памятью Flash. Комбинация этих свойств может сделать память MRAM «универсальной памятью», способной заменить SRAM, DRAM, EEPROM и Flash.
Новости
Макро Групп начала сотрудничество с производителем современных микросхем памяти PUYA Semiconductor.
Компания UDinfo представила твердотельный накопитель, предназначенный для операционной системы в ПК, используемом для воспроизведения звукозаписей – NVMe M.2 2280.
Компания «Макро Групп» продолжает развивать свои отношения с зарубежными и отечественными партнёрами. Являясь официальным дистрибьютором Тайваньской компании UD Info.
Компания UD Info объявила о выпуске новых модулей памяти DDR5 формата U-DIMM и SO-DIMM 8...32 ГБ. Данные модули имеют низкое энергопотребление и высокую скорость работы.
Статьи
Основанная в 1987 году, компания Winbond Electronics является поставщиком комплексных решений в области хранения данных, расположенная в Тайчунге, Тайвань.
Благодаря использованию STT-MRAM удается оптимизировать такие важные характеристики, как полезная площадь, производительность, долговечность, надежность и эксплуатационный период при одновременном уменьшении сложности систем и расширении функциональных возможностей.
Наша компания основана более 30 лет назад, в 1987 году. Сегодня «Winbond» принадлежат 23% мирового рынка последовательной флеш-памяти, лидер в сегменте полупроводниковых технологий хранения данных. Winbond располагает собственным производством пластин, наша фабрика находится на Тайване.
Данный документ может быть использован в качестве руководства для инженеров по использованию контроллера памяти FPGA Xilinx при взаимодействии с энергонезависимой памятью ST-DDR3 от Everspin.
Для многих беспроводных и портативных приложений, особенно в растущем сегменте «интернет вещей», критическим является энергопотребление (мощность, потребляемая устройством в течении продолжительного периода времени). Основная задача проводимого исследования – это может ли функция fast-Write и power-up-to-Write для MRAM памяти существенно снизить общее энергопотребление системы по сравнению с любой EEPROM или Flash памятью.