SiC MOSFET 1200 В от Global Power Technology

Компания Global Power Technology выпустила SiC МОП-транзистор 1200 В 80 мОм 42,9 А в корпусе TO-247-4 – G1M080120N. Компания Global Power Technology является производителем широкой линейки диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC) и IGBT транзисторов.

SiC МОП-транзистор 1200 В 80 мОм

Основные параметры SIC МОП транзистор G1M080120N:

напряжение сток-исток: 1200 В
ток (при 25°C): 42,9 A
Rds(On): 80 мОм
напряжение затвор-исток: -3/+20 В
тип корпуса: TO-247-4
суммарный заряд затвора: 86 нКл
максимальная температура перехода: 175 °C
выходная ёмкость: 141 пФ
рассеиваемая мощность: 247 Вт

Применение транзисторов:

зарядные устройства электромобилей
инверторы солнечных батарей
импульсные источники питания
управление приводом
ИБП

Преимущества G1M080120N:

повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость
позволяет работать на высокой частоте переключения
улучшает плотность мощности на уровне системы
уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение

Компания Макро Групп является поставщиком продукции Global Power Technology в России.

По техническим вопросам и заказам обращайтесь по телефону (800) 333-06-05 доб. 783 или через форму «Задать вопрос» на сайте.

Задать вопрос

Упоминаемые производители

Гибридный Si IGBT + SiC диод Шоттки 650 В 60 А от Global Power Technology Процессоры Loongson Technology доступны в Макро Групп

Array ( [AJAX_MODE] => Y [AJAX_OPTION_ADDITIONAL] => [AJAX_OPTION_HISTORY] => N [AJAX_OPTION_JUMP] => N [AJAX_OPTION_STYLE] => Y [CACHE_TIME] => 3600 [CACHE_TYPE] => N [CHAIN_ITEM_LINK] => [CHAIN_ITEM_TEXT] => [EDIT_ADDITIONAL] => N [EDIT_STATUS] => N [IGNORE_CUSTOM_TEMPLATE] => N [NOT_SHOW_FILTER] => Array ( [0] => [1] => ) [NOT_SHOW_TABLE] => Array ( [0] => [1] => ) [SEF_MODE] => N [SHOW_ADDITIONAL] => N [SHOW_ANSWER_VALUE] => N [SHOW_EDIT_PAGE] => N [SHOW_LIST_PAGE] => N [SHOW_STATUS] => N [SHOW_VIEW_PAGE] => Y [START_PAGE] => new [SUCCESS_URL] => [USE_EXTENDED_ERRORS] => N [VARIABLE_ALIASES] => Array ( [WEB_FORM_ID] => WEB_FORM_ID [RESULT_ID] => RESULT_ID [action] => action ) [WEB_FORM_ID] => 3 [AJAX_ID] => ef7e02adfcc378dd08afa084fd53771e [~AJAX_MODE] => Y [~AJAX_OPTION_ADDITIONAL] => [~AJAX_OPTION_HISTORY] => N [~AJAX_OPTION_JUMP] => N [~AJAX_OPTION_STYLE] => Y [~CACHE_TIME] => 3600 [~CACHE_TYPE] => N [~CHAIN_ITEM_LINK] => [~CHAIN_ITEM_TEXT] => [~EDIT_ADDITIONAL] => N [~EDIT_STATUS] => N [~IGNORE_CUSTOM_TEMPLATE] => N [~NOT_SHOW_FILTER] => Array ( [0] => [1] => ) [~NOT_SHOW_TABLE] => Array ( [0] => [1] => ) [~RESULT_ID] => [~SEF_MODE] => N [~SHOW_ADDITIONAL] => N [~SHOW_ANSWER_VALUE] => N [~SHOW_EDIT_PAGE] => N [~SHOW_LIST_PAGE] => N [~SHOW_STATUS] => N [~SHOW_VIEW_PAGE] => Y [~START_PAGE] => new [~SUCCESS_URL] => [~USE_EXTENDED_ERRORS] => N [~VARIABLE_ALIASES] => Array ( [WEB_FORM_ID] => WEB_FORM_ID [RESULT_ID] => RESULT_ID [action] => action ) [~WEB_FORM_ID] => 3 [~AJAX_ID] => ef7e02adfcc378dd08afa084fd53771e [NEW_URL] => /materials/news/sic-mosfet-1200-v-ot-global-power-technology/ [VIEW_URL] => /materials/news/sic-mosfet-1200-v-ot-global-power-technology/?action=view [NAME_TEMPLATE] => #NAME# #LAST_NAME# [~NEW_URL] => /materials/news/sic-mosfet-1200-v-ot-global-power-technology/ [~VIEW_URL] => /materials/news/sic-mosfet-1200-v-ot-global-power-technology/?action=view [~NAME_TEMPLATE] => #NAME# #LAST_NAME# )

SiC MOSFET 1200 В от Global Power Technology

Задать вопрос

Упоминаемые производители

Подписка на новости