Да
Нет, выбрать свой

Энергоэффективность называют ключевым фактором, который обеспечивает повышение экологичности. Особенно это касается промышленности, где спрос на электроэнергию огромен и увеличение энергоэффективности может существенно повлиять на окружающую среду и гарантировать ее стабильное будущее.

Компания Hitachi Energy разработала новое поколение тиристоров фазового управления (PCT — Phase Control Thyristor) и выпрямительных диодов, используя новейшие технологии производства пластин, позволяющие повысить их эффективность и улучшить соотношение затрат и производительности компонентов. Статья дает представление о новом поколении полупроводниковых приборов, в котором основное внимание уделяется РСТ и диодам с напряжением 6500 В в N-корпусе (диаметр 100 мм, высота 35 мм).

Введение

Сегодня PCT — основной компонент мощных выпрямителей, источников питания, электроприводов, систем обеспечения качества электроэнергии, гидронасосов, электролизеров водорода, HVDC и многого другого. Управляемые тиристоры — это выбор номер один в устройствах высокой мощности, где требуются высочайшая производительность, надежность и низкие потери проводимости (рис. 1). Современная промышленность нуждается в выпрямительных диодах с низкими потери проводимости и в менее сложных мощных выпрямителях или источниках питания.

Полупроводниковые приборы и области применения [1].jpg

Hitachi Energy разработала новую технологическую платформу для PCT и выпрямительных диодов, способную повысить эффективность и являющуюся еще одним шагом к устойчивому развитию. Эта платформа уже используется в первых двух пилотных продуктах — в PCT и выпрямительном диоде (рис. 2).

Чип 6,5 кВ PCT (слева) и выпрямительного диода (в центре), прибор в капсульном корпусе

Дизайн полупроводникового прибора

Кремниевая пластина

Разработка промышленных тиристоров и выпрямительных диодов предусматривает повышение максимальной температуры кристаллов, а также предельного значения номинального тока и тока перегрузки. Хотя корпуса новых изделий и продуктов предыдущего поколения не имеют отличий, что упрощает их замену с механической точки зрения, внутренняя конструкция новинок переработана кардинально. Чтобы улучшить номинальные характеристики выпрямителей, были сделаны следующие принципиальные корректировки:

Размер кристалла

Диаметр чипа увеличен по отношению к доступному пространству внутри корпуса. Это позволило расширить активную площадь на 15%.

Максимальная температура кристаллов

Максимальная рабочая температура увеличена на 10 К для обоих типов полупроводников с целью увеличения выходной мощности. Чтобы выдержать нагрузки при повышенных температурах (например, более высокий ток утечки в заблокированном состоянии), потребовались серьезные изменения в технологии кремниевой пластины. Во-первых, форма краевых областей изменена на положительно-отрицательно скошенную. Кроме того, для покрытия верхней контактной части чипа использована новейшая технология пассивации аморфным гидрогенизированным углеродом (также известным, как DLC). Сочетание этой конструкции краевых зон и пассивирующего слоя улучшает блокирующую способность чипов и обеспечивает высокую надежность при повышенной температуре. Введение положительно скошенной краевой области уменьшает глубину анодного перехода (рис. 3), что позволяет снизить толщину кремния и улучшить характеристики проводимости.

Низкотемпературная сварка

Технология низкотемпературной (холодной) сварки кремниевого кристалла с молибденовой прокладкой со стороны анода, использованная в тиристорах и выпрямительных диодах новой платформы, дает множество преимуществ.

Кремниевая пластина охлаждается до самых краев. Помимо адаптации и модификации чипов, это дополнительно помогает выдерживать повышенные тепловые нагрузки. Кроме того, такая технология соединения устраняет сухую границу раздела между молибденовой и кремниевой пластинами, что приводит к снижению теплового сопротивления между обеими частями. В результате улучшается охлаждение кремниевого чипа, что способствует снижению теплового сопротивления между кристаллом и корпусом.

Профиль легирования анода РСТ (слева) и выпрямительного диода (справа)

Корпусирование

Внедрение новой технологии кремниево-молибденового соединения для РСТ и выпрямительных диодов дополнительно улучшает конструкцию. На рис. 4 показаны особенности технологии FF (free-floating), использованной в существующем поколении PCT и выпрямительных диодов, отличающихся симметричным дизайном корпуса. Размеры соседних молибденовых дисков и медных полюсных наконечников идентичны для выводов анода и катода. Новая конструкция, в которой использована технология холодной сварки, заметно отличается. Как упоминалось выше, диаметр анодного полюсного наконечника увеличен пропорционально диаметру кристалла, в то время как катодный терминал адаптирован для соответствия активной области катодной стороны чипа. Благодаря соединению со стороны анода, толщина катодной молибденовой пластины уменьшена, а ее материал заменен на медь. Таким образом удалось дополнительно улучшить тепловое и электрическое сопротивление за счет более высокой  электро и теплопроводности меди. При этом у асимметричной конструкции тепловые сопротивления анода и катода не равны.

Поперечное сечение N корпуса

Нагрузочная способность в непрерывном режиме

Два новых продукта предлагаются во втором типе конструктива, обеспечивающем повышенную нагрузочную способность в непрерывном режиме (I RSMC). В основе так называемого X-корпуса (рис. 5) лежит новый N-корпус для элементов, соединенных холодной сваркой (рис. 4 справа). Он дополнительно оснащен стальным фланцем (желтый), кольцом на основе полимера (синий) и зажатым между ними силиконовым уплотнительным кольцом (черный).

Поперчечное сечение X корпуса

Кроме того, в новом конструктиве уменьшен анодный полюсный наконечник, а размеры керамики увеличены до диаметра катодного фланца, чтобы обеспечить достаточное пространство для стального фланца и полимерного кольца.

  5STP 26N6500 [2] технология FF 5STP 40N6500 [3] технология холодной сварки 5STP 40X6500 технология холодной сварки, IRSMC 5SDD 50N5500 [4] технология FF 5SDD 57N6500 [5] технология холодной сварки 5SDD 57N6500 технология холодной сварки,IRSMC
Rth(j-c), DC Анод 11,4 К кВт-1 8,5 К кВт-1
–25%
7,2 К кВт-1
–37%
11,4 К кВт-1 8,5 К кВт-1
–25%
7,2 К кВт-1
–37%
Rth(j-c), DC Катод 11,4 К кВт-1 11,0 К кВт-1
–3%
13,5 К кВт-1
+18%
11,4 К кВт-1 10,4 К кВт-1
–9%
13,0 К кВт-1
+14%
Rth(j-c), DC 5,7 К кВт-1 4,8 К кВт-1
–16%
4,7 К кВт-1
–18%
5,7 К кВт-1 4,7 К кВт-1
–18%
4,6 К кВт-1
–19%

Более тонкий анодный полюсный наконечник усиливает дисбаланс теплового сопротивления, но при этом обеспечивает значительное улучшение этого параметра по сравнению с референтными данными, как показано в таблице 1. Корпус второго типа позволяет достичь тока I — 95 кА при синусоидальном одиночном импульсе 10 мс. Величина I RSMC RSMC оценивается на основе стандарта IEC IEC 60747-6. Новые приборы были механически повреждены на концевых зонах перед проведением этого теста. В ходе испытаний высокоскоростная камера использовалась для отслеживания уровня тока, при котором нарушается герметичность корпуса и происходит утечка плазмы. На рис. 6 показаны результаты проверки тока I. Конструктив разработан таким образом, чтобы плазма выходила из катодного фланца при превышении предела I RSMC RSMC, — это гарантирует, что керамика останется неповрежденной.

Проверка I RSMC — изображение с высокоскоростной камеры и сценарий отказа при

Основные характеристики

Технологическая кривая

Соотношение между падением напряжения в открытом состоянии и зарядом обратного восстановления Q у приборов нового поколения по сравнению с предыдущей генерацией и конкурирующими выпрямителями показано на рис. 7. Статические потери при постоянном значении Q RR RR у PCT снижены на 3%. Это увеличивает плотность тока до 62,3 А/см (+11%) в сочетании с уменьшенным тепловым сопротивлением и повышенной температурой кристалла. Аналогичная ситуация и с диодом: статические потери уменьшены на 3%, а плотность тока увеличена до 79,7 А/см 2 2 (+8%). Таким образом, достигнуто значительное улучшение по номинальному прямому току.

Заряд обратного восстановления

Ток перегрузки

Технология сварки является одним из ключевых факторов, позволяющих выдерживать более высокую температуру кристалла и исключить «тепловое убегание» в заблокированном состоянии. В то же время применение этой технологии позволяет значительно улучшить перегрузочные характеристики. Способность выдерживать ток перегрузки (PCT: I TSM , выпрямительный диод: I ) тщательно оценивалась в процессе разработки. Результаты, полученные для выпрямительного диода, представлены на рис. 8, на котором показано последнее пиковое значение тока при испытаниях на повреждающую перегрузку. Последний импульс тока перегрузки нового выпрямительного диода составляет около 145 кА при синусоидальном одиночном импульсе 10 мс. Это эквивалентно увеличению показателя I FSM FSM по сравнению с предыдущим поколением почти на 60 %, и превышает перегрузочную способность более крупного прибора конкурента «A», при меньшем падении напряжения во включенном состоянии. Повышенная перегрузочная способность обусловлена новым дизайном чипа и технологией сварки.

Результаты тестирования тока перегрузки выпрямительного диода (5SDD 57N6500)

Номинальные характеристики

Номинальные значения тока полупроводниковых приборов в основном зависят от прямого падения напряжения, теплового сопротивления и максимальной рабочей температуры. Как отмечено в предыдущих разделах, все указанные аспекты были улучшены, что привело к повышению ключевых параметров приборов. Номинальный ток увеличился в диапазоне 25–35 %, а ток перегрузки — на 12–15% соответственно. Основные характеристики новых продуктов в сравнении с предыдущим поколением приведены в таблице 2.

Устройство VDSM/RSM
VDRM/RRM, В
ITAVMб Tvj, m Rth(j-c), DC ITSM/IFSM
PCT 5STP 40N6500 [3] 6500 В 3780 А
+31%
+135 °C 4,8 К кВт-1
–16%
75 кА
PCT 5STP 40N6500 [3] 6500 В 3780 А
+31%
+135 °C
+10 К
4,7 К кВт-1
–17%
75 кА
PCT 5STP 26N6500 [2] 6500 В 2810 А +125 °C 5,7 К кВт-1 65 кА
Выпрямительный
диод
New:5SDD
57N6500 [5]
6500 В
+500...+1500 В
5700 А
+25/+35%
+160 °C
+10 К
4,7 К кВт-1
–18%
82 кА
+12/+15%
Выпрямительный
диод
New:5SDD
57X6500*
6500 В
+500...+1500 В
5700 А
+25/+35%
+160 °C
+10 К
4,6 К кВт-1
–19%
82 кА
+12/+15%
Выпрямительный
диод
Ref. 5SDD
50N5500 [4]
5500 В
5000 В
4570 А +150 °C 5,7 К кВт-1 73 кА
Выпрямительный диод Ref. 5SDD 50N6000 [6] 6000 В 4210 А +150 °C 5,7 К кВт-1 71,2 кА
Заключение

В статье представлены ключевые параметры и особенности двух первых продуктов новой платформы Hitachi Energy, включающей мощные тиристоры и выпрямительные диоды. Повышение номинального тока на 30% достигнуто за счет сохранения типоразмера устройства, что позволяет этим приборам конкурировать с выпрямителями в более крупных корпусах и перевести их энергоэффективность на новый уровень. Применение выпрямителей последнего поколения в различных системах обеспечит большую выгоду за счет повышения мощности и экономичности.

Литература
  1. Rahimo M. T., Ultar high voltage semiconductor power devices for grid application. Inertnational Electron Devices Meeting, 2010.
  2. ABB Power Grids Switzerland Ltd Semiconductors. Datasheet 5STP 26N6500. 20 March 2020.www.search.abb.com/library/Download.aspx?DocumentID=5SYA1001&LanguageCode=en&DocumentPartId=&Action=Launch
  3. ABB Power Grids Switzerland Ltd Semiconductors. Preliminary Datasheet 5STP 40N6500. 1 February 2021.www.search.abb.com/library/Download.aspx?DocumentID=5SYA1086&LanguageCode=en&DocumentPartId=&Action=Launch
  4. ABB Power Grids Switzerland Ltd Semiconductors. Datasheet 5SDD 50N5500. 2 January 2017.
  5. ABB Power Grids Switzerland Ltd Semiconductors. Preliminary Datasheet 5SDD57N6500. 21 January 2021.
  6. ABB Power Grids Switzerland Ltd Semiconductors.Datasheet 5SDD 50N6000. 1 June 2017.

Упоминаемые производители

Подписка на новости