IGBT транзисторы
Всего товаров: 27
Товаров на странице:
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DGF
|
600 В
|
TO-220F
|
15 A
|
пайка
|
1,25 мДж
|
1,65 В
|
4,9 ℃/W
|
|
|
|
DGF
|
600 В
|
TO-220F
|
15 A
|
пайка
|
1,25 мДж
|
1,65 В
|
4,9 ℃/W
|
|
|
|
DGP
|
600 В
|
TO-220
|
10 A
|
пайка
|
0,79 мДж
|
1,65 В
|
1,35 ℃/W
|
|
|
|
DGP
|
650 В
|
TO-220
|
10 A
|
пайка
|
0,79 мДж
|
1,65 В
|
1,35 ℃/W
|
|
|
|
DGP
|
600 В
|
TO-220
|
15 A
|
пайка
|
0,79 мДж
|
1,65 В
|
1,35 ℃/W
|
|
|
|
DGP
|
650 В
|
TO-220
|
15 A
|
пайка
|
0,79 мДж
|
1,65 В
|
1,35 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
1200 В
|
TO-247
|
10 A
|
пайка
|
2,23 мДж
|
1,85 В
|
0,95 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
1200 В
|
TO-247
|
15 A
|
пайка
|
3,5 мДж
|
1,85 В
|
0,75 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
650 В
|
TO-247
|
15 A
|
пайка
|
1,25 мДж
|
1,65 В
|
1,15 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
600 В
|
TO-247
|
20 A
|
пайка
|
1,69 мДж
|
1,9 В
|
0,9 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
650 В
|
TO-247
|
20 A
|
пайка
|
1,69 мДж
|
1,9 В
|
0,9 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
1200 В
|
TO-247
|
25 A
|
пайка
|
4,6 мДж
|
1,85 В
|
0,46 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
650 В
|
TO-247
|
30 A
|
пайка
|
1,6 мДж
|
1,95 В
|
0,8 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
650 В
|
TO-247
|
30 A
|
пайка
|
1,6 мДж
|
1,95 В
|
0,8 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
650 В
|
TO-247
|
30 A
|
пайка
|
2,03 мДж
|
1,8 В
|
0,8 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
1200 В
|
TO-247
|
40 A
|
пайка
|
7,1 мДж
|
2,1 В
|
0,3 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
1200 В
|
TO-247
|
40 A
|
пайка
|
5,3 мДж
|
1,7 В
|
0,3 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
1200 В
|
TO-247
|
40 A
|
пайка
|
8,1 мДж
|
1,85 В
|
0,35 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
650 В
|
TO-247
|
40 A
|
пайка
|
2,45 мДж
|
1,95 В
|
0,49 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
650 В
|
TO-247
|
40 A
|
пайка
|
2,45 мДж
|
1,95 В
|
0,49 ℃/W
|
|
Настройки
Отображение колонок
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления)