Winbond Electronics Corporation была основана в сентябре 1987 году в Тайване и на сегодня располагает производственными мощностями и центрами в Тайване, Китае, США и Японии.
Гибкая система производства и взаимосвязанные продуктовые линейки позволяют компании удовлетворять разнообразным требованиям заказчиков и увеличивать их количество по всему миру.
Компания Winbond занимается разработкой и производством микросхем памяти в следующих направлениях:
- Flash память:
- NOR с параллельным интерфейсом плотностью 32 - 512 Мбит; напряжением 3,3 В
- NOR с последовательным интерфейсом плотностью 512 Кбит - 512 Мбит; напряжениями 2,7 (2,3) – 3,6 В или 1,65 – 1,95 В; тактовой частотой до 104 МГц
- SLC NAND с параллельным интерфейсом плотностью 1, 2 или 4 Гбит; напряжениями 2,7 – 3,6 В или 1,7 – 1,95 В
- NAND с последовательным SPI интерфейсом плотностью 1 Гбит и 2 Гбит; тактовой частотой до 104 МГц
- Мобильная DRAM
- Псевдо SRAM (PSRAM) плотностью 32 - 256 Мбит; напряжениями 1,8 или 3,3 В; тактовой частотой до 133 МГц
- SDR SDRAM (LPSDR) малой мощности плотностью 128 - 512 Мбит; напряжением 1,8 В; тактовой частотой 133 МГц или 166 МГц
- DDR SDRAM (LPDDR) малой мощности плотностью 128 Мбит - 1 Гбит; напряжением 1,8 В; тактовой частотой 166 МГц или 200 МГц
- DDR2 SDRAM (LPDDR2) малой мощности плотностью 256 Мбит - 2 Гбит; напряжениями 1,8/1,2 В; тактовой частотой 400 МГц или 533 МГц
- DRAM
- SDRAM плотностью 16 - 256 Мбит; напряжением 3,3 В; тактовой частотой 133-200 МГц
- DDR SDRAM плотностью 64-256 Мбит; напряжением 2,5 В; тактовой частотой 166-250 МГц
- DDR2 SDRAM плотностью 128 Мбит - 2 Гбит; напряжением 1,8 В; соответствует спецификациям DDR2-667, DDR2-800 и DDR2-1066
- DDR3 SDRAM плотностью 1 Гбит; напряжением 1,5 В; соответствует спецификациям DDR3-1333, DDR3-1600 and DDR3-1866
Winbond имеет сертификаты качества ECQ, ISO 9001, ISO 14001 и QS 9000.