Высоконадежные источники накачки твердотельного лазера с синхронизацией мод нового поколения от DoGain
Компания Dogain запустила в продажу разработанную серию источников излучения мощностью 500 Вт с синхронизацией мод, образующую полную серию модулей с волоконно-оптической накачкой для длин волн 878,6, 885 и 888 нм, что обеспечит повышение производительности твердотельных лазеров. Продукт обладает высокой эффективностью электрооптического преобразования, длительным сроком службы и ориентирован для эксплуатации в различных климатических условиях.
В продукте используется новое поколение высокопроизводительного чипа с VBG 878-888 нм собственной разработки, спроектированного для стабильной работы лазера в диапазоне температур 15°C ~ 40°C.
Сочетание новейшего чипа, передовой технологии связи и синхронизации и оптимизированной конструкции обеспечивает эффективность электрооптического преобразования более 52%, выходную мощность до 500 Вт с центральной длиной волны 878,6 нм ± 0,5 нм и шириной спектра менее 0,5 нм, высокую надежность и длительный срок службы.
Основные параметры новых источников накачки твердотельного лазера:
- длина волны: 878.6/885/888 нм
- смещение центральной длины волны: ± 0,5
- ширина спектра: не более 0,5 нм
- выходная мощность: 10-180 / 200-500 Вт
- КПД: >52%
- ток питания: 3-20 А
Спектр излучения при номинальном токе в диапазоне температур 15°C ~ 40°C.
LIV лазера DG-ZXX-500-878.6-XXX-VBG
Корпус лазера DG-ZXX-500-878.6-XXX-VBG
Компания Макро Групп является официальным дистрибьютором компании Dogain в России.
За подробностями и дополнительной информацией обратитесь к нашим экспертам по телефону 8 (800) 333-06-05 доб. 576 или через форму «Задать вопрос» на сайте. Мы обязательно предоставим вам всю необходимую информацию для принятия вами решения.
Компания Dogain Optoelectronic Technology(suzhou)Co.,Ltd. была основана в 2017 году. Компания считает разработку и производство высококачественных лазерных чипов своей основной конкурентоспособностью и обладает полным циклом инженерных и производственных возможностей в сфере полупроводниковых лазерных источников излучения.
