Технология GaAs pHEMT производства СВЧ приборов для большей интеграции на кристалле от WIN Semiconductors
WIN Semiconductors анонсировала освоение технологического процесса GaAs pHEMT – PIH0-03. Данная технология объединяет структуру и преимущества монолитных PIN диодов и диодов Шоттки с СВЧ транзисторами миллиметрового диапазона, который является отработанным компанией WIN технологическим процессом PP10, 0,1 мк pHEMT.
Процесс PIH0-03 позволяет плотнее интегрировать функции СВЧ приборов в габаритах одного чипа. Заказчик получает больше возможностей по созданию СВЧ смесителей, переключателей, ограничителей, УМ, МШУ для работы на частотах 100 ГГц и выше.
Приборы, сделанные на фаундри процессе PIH0-03 компании WIN, будут универсальнее для большего числа применений. Современная промышленность требует минимизировтаь размеры и число компонентов, интегрировать больше функций в одном корпусе и снижать энергопотребление.
Структура PIN диода может использоваться для снижения паразитной ёмкости прибора и как встроенный ограничитель мощности перед МШУ в радарных фазированных решётках. Вертикальная структура диода Шоттки наделяет приборы способностью смешивать и детектировать сигналы.
Компания Макро Групп является партнёром WIN Semiconductors в России и оказывает поддержку заказчикам на любом этапе работы по фаундри производству.
Для получения дополнительной информации напишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05.
Компания WIN Semiconductor является контрактным производителем полупроводников. На данный момент компания серийно использует технологии 0,25 мк E/D pHEMT, 0,15 мк LNA pHEMT, 0,15 мк power pHEMT, 0,1 мк power pHEMT и BiFET pHEMT.