Да
Нет, выбрать свой

Компания SUNCOYJ Co., Ltd расширила номенклатуру выпускаемых силовых IGBT транзисторов в корпусах TO-247 и TO-220.

Ассортимент включает в себя изделия с пробивным напряжение Коллектор-Эмиттер 600 В и 1200 В, диапазоном токов от 10 до 75 А.

IGBT транзистор в корпусе TO-247IGBT транзистор в корпусе TO-220F

Основными сферами применения IGBT транзисторов в корпусах TO-247 и TO-220 являются:

  • приборы высокочастотной коммутации
  • резонансные преобразователи
  • источники бесперебойного питания
  • сварочные преобразователи

Наиболее перспективные модели IGBT транзисторов в корпусах TO-247 и TO-220 представлены в таблице

Наименование VCES мин., В IC @ TC=80℃, A VCE(sat) тип., В Eon+Eoff typ.Tj=125°С, мДж Rth(j-c) max., °С/Вт Корпус
DGF15N60CTL 600 15 1,65 1,25 4,9 TO-220F
DGW10N120CTL 1200 10 1,85 2,23 0,95 TO-247
DGW30N65CTH 650 30 1,95 1,6 0,8 TO-247
DGW40N120CTL 1200 40 1,85 8,1 0,35 TO-247
DGW75N65CTL1 650 75 1,65 5,1 0,38 TO-247

Макро Групп является официальным дистрибьютором SUNCOYJ в России и странах СНГ.

Для заказа продукции SUNCOYJ и получения технической поддержки напишите нам через форму «Задать вопрос» на сайте или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05 доб. 750.

Упоминаемые производители

Подписка на новости