ST-MRAM DDR4 на 1 Гбит от Everspin доступна образцами
Производитель Everspin Technologies объявил о начале поставок образцов микросхемы энергонезависимой магниторезистивной памяти ST-MRAM с интерфейсом DDR4 объемом 1 Гбит – EMD4E001G.
EMD4E001G обеспечивает в четыре раза большую ёмкость по сравнению с доступной ранее микросхемой ST-MRAM на 256 Мбит с интерфейсом DDR3.
Инженерные образцы ST-MRAM EMD4E001G на 1 Гбит будут доступны ведущим заказчикам уже после саммита по Flash памяти, проходящего в Санта-Кларе в августе 2017 года.
- технология уровня 28 нм на 300-мм пластине
- работа с интерфейсами памяти DDR4/DDR3
- запатентованная технология перпендикулярного туннельного перехода (pMTJ)
- самый высокий уровень выносливости среди имеющихся на рынке энергонезависимых запоминающих устройств
Использование ST-MRAM позволяет производителям систем хранения повысить надежность и производительность систем и устройств хранения, обеспечивая защиту от потери напряжения питания без использования суперконденсаторов или батарей.
Компания Everspin разрабатывает и производит ST-MRAM – следующее поколение энергонезависимой памяти. В ней для записи бита информации используется ток, протекающий через структуру ячейки. Микросхема ST-MRAM на 1 Гбит является продолжением семейства микросхем, основанных на переносе спиновых состояний (ST-spin toque). В это семейство также входят микросхемы с объемом 64 Мбит и 256 Мбит. Производство микросхем ведется на фабрике ведущего контрактного производителя полупроводниковых микросхем GLOBALFOUNDRIES.
Компания «Макро Групп» является официальным дистрибьютором Everspin Technologies. Для заказа образцов и получения технической поддержки по всей продукции Everspin пишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05.
