SPI NOR Flash 1,2 В на 64/128 Мбит и SLC NAND/SPI NAND Flash на 2 Гбит от Winbond
На выставке «Электроника 2018» в Мюнхене компания Winbond Electronics анонсировала дальнейшее развитие семейства микросхем памяти SPI NOR Flash W25Q-ND плотностью 64 Мбит и 128 Мбит напряжением 1,2 В и семейства SLC NAND /SPI NAND Flash на 2 Гбит.
SPI NOR Flash 64Мбит/128Мбит на 1,2 В
В начале 2019 года будут доступны образцы микросхем на 64 Мбит – W25Q64ND, а ближе к концу 2019 года будет выпущена микросхема на 128 Мбит – W25Q128ND. Их образцы будут доступны для заказчиков во всём мире, в том числе и в России.
На сегодняшний день компания Winbond серийно выпускает микросхемы SPI NOR Flash на 1,2 В плотностью 8 Мбит – W25Q80ND.
Показатель энергосбережения микросхем семейства SPI NOR Flash с напряжением 1,2 В в режиме ожидания на 33% превосходит аналогичный показатель у микросхем с напряжением 1,8 В. Это особенно важно для заказчиков, производящих беспроводные и аккумуляторные устройства.
SLC NAND Flash/SPI NAND Flash на 2 Гбит
Первые образцы микросхем SLC NAND Flash на 2 Гбит, выполненные по 32-нм техпроцессу (номер для заказа W29N02KV), уже доступны заказчикам для тестирования. В первой половине 2019 года будут доступны для тестирования образцы SPI NAND Flash на 2 Гбит – W25N02KV.
Микросхемы доступны в индустриальном температурном диапазоне от -40°C до +85°C. Компания Winbond объявила о разработке микросхем SPI NAND Flash с расширенным автомобильным AG2+ (115°C) температурным диапазоном.
Компания Макро Групп является официальным партнером Winbond Electronics Corporation на территории России.
Для заказа бесплатных образцов, получения дополнительной информации и технической поддержки напишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05 доб. 775.
