Да
Нет, выбрать свой

Компания SUNCOYJ (Китай) анонсировала выпуск силовых IGBT транзисторов в корпусах TO-247 и TO-220 с пробивным напряжением коллектор-эмиттер от 600 до 1200 В и диапазоном токов от 10 А до 75 А.

IGBT транзистор в корпусе TO-247 IGBT транзистор в корпусе TO-220

Наиболее перспективные модели представлены в таблице ниже.

Наименование VCES мин (V) IC @ TC=80℃(A) VCE(sat) тип(V) Eon+Eoff typ.Tj=125℃(mJ) Rth(j-c)max (℃/W) Корпус
DGF15N60CTL 600 15 1,65 1,25 4,9 TO-220F
DGW10N120CTL 1200 10 1,85 2,23 0,95 TO-247
DGW30N65CTH 650 30 1,95 1,6 0,8 TO-247
DGW40N120CTL 1200 40 1,85 8,1 0,35 TO-247
DGW75N65CTL1 650 75 1,65 5,1 0,38 TO-247

С полным списком из более 20 новых изделий можно ознакомиться на сайте производителя.

Основные сферы применения IGBT транзисторов:

  • приборы высокочастотной коммутации
  • резонансные преобразователи
  • источники бесперебойного питания
  • сварочные преобразователи

IGBT транзисторы в каталоге

Компания Макро Групп является официальным дистрибьютором SUNCOYJ в России.

Для заказа образцов продукции SUNCOYJ и получения технической поддержки напишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05 доб. 750.

Упоминаемые производители

Подписка на новости