Силовые IGBT транзисторы до 1200 В и до 75 А от SUNCOYJ
12 июля 2022
Компания SUNCOYJ (Китай) анонсировала выпуск силовых IGBT транзисторов в корпусах TO-247 и TO-220 с пробивным напряжением коллектор-эмиттер от 600 до 1200 В и диапазоном токов от 10 А до 75 А.
Наиболее перспективные модели представлены в таблице ниже.
| Наименование | VCES мин (V) | IC @ TC=80℃(A) | VCE(sat) тип(V) | Eon+Eoff typ.Tj=125℃（mJ） | Rth(j-c)max (℃/W) | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DGF15N60CTL | 600 | 15 | 1,65 | 1,25 | 4,9 | TO-220F |
| DGW10N120CTL | 1200 | 10 | 1,85 | 2,23 | 0,95 | TO-247 |
| DGW30N65CTH | 650 | 30 | 1,95 | 1,6 | 0,8 | TO-247 |
| DGW40N120CTL | 1200 | 40 | 1,85 | 8,1 | 0,35 | TO-247 |
| DGW75N65CTL1 | 650 | 75 | 1,65 | 5,1 | 0,38 | TO-247 |
С полным списком из более 20 новых изделий можно ознакомиться на сайте производителя.
Основные сферы применения IGBT транзисторов:
- приборы высокочастотной коммутации
- резонансные преобразователи
- источники бесперебойного питания
- сварочные преобразователи
Компания Макро Групп является официальным дистрибьютором SUNCOYJ в России.
Для заказа образцов продукции SUNCOYJ и получения технической поддержки напишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05 доб. 750.
