Да
Нет, выбрать свой

Компания Yangjie анонсировала выпуск SiC МОП транзисторов собственной разработки с напряжением пробоя 1200 В и сопротивлением открытого канала 80 мОм.

В последние годы рынок силовых инверторов вступил в период интенсивного роста, и спрос на MOSFET SiC быстро увеличился. При совместном применении SiC-диодов и SiC MOSFET рабочая частота системы может быть увеличена для увеличения КПД и уменьшения размера преобразователя, снижения тепловых потерь и увеличения надежности и долговечности.

SiC MOSFET транзисторы 1200 В 80 мОм от Yangjie

SiC MOSFET транзисторы в каталоге

Особенности продукта

  • высокая термостойкость, рабочая температура 175°C
  • униполярное устройство, высокая скорость переключения, низкие потери, подходит для высоковольтных и высокочастотных приложений
  • благодаря использованию передового процесса утончения, SiC MOSFET имеет превосходные характеристики электрического сопротивления, снижая потери энергии устройства в работе
  • типы корпуса изделия – TO-247-3L, TO-247-4L и другие
  • прошли строгие отраслевые сертификаты надежности, включая испытания HTRB, HTGB и HV-H3TRB

Электрические параметры:

Номер для заказа Обратное напряжение пробоя, В Ток стока, А Поколение Rdson (мОм)@25°C Заряд затвора Qg (нКл) Рассеяние мощности, Вт Тепловое сопротивление RthJ-C (°С/Вт) Корпус
YJD212080NCTG1 1200 38 Gen 1 77 41 220 0,68 TO247-3L
YJD212080NCFG1 1200 39 Gen 1 77 41 223 0,67 TO247-4L

Компания Yangjie – известный китайский IDM производитель полупроводниковых компонентов и модулей. Макро Групп является официальным дистрибьютором Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd в России и странах СНГ.

Для заказа образцов продукции Yangjie и получения технической поддержки напишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05 доб. 750.

Упоминаемые производители

Подписка на новости