SiC MOSFET транзисторы 1200 В 80 мОм от SUNCOYJ
Компания SUNCOYJ анонсировала выпуск SiC МОП транзисторов собственной разработки с напряжением пробоя 1200 В и сопротивлением открытого канала 80 мОм.
В последние годы рынок силовых инверторов вступил в период интенсивного роста, и спрос на MOSFET SiC быстро увеличился. При совместном применении SiC-диодов и SiC MOSFET рабочая частота системы может быть увеличена для увеличения КПД и уменьшения размера преобразователя, снижения тепловых потерь и увеличения надежности и долговечности.
Особенности продукта
- высокая термостойкость, рабочая температура 175°C
- униполярное устройство, высокая скорость переключения, низкие потери, подходит для высоковольтных и высокочастотных приложений
- благодаря использованию передового процесса утончения, SiC MOSFET имеет превосходные характеристики электрического сопротивления, снижая потери энергии устройства в работе
- типы корпуса изделия – TO-247-3L, TO-247-4L и другие
- прошли строгие отраслевые сертификаты надежности, включая испытания HTRB, HTGB и HV-H3TRB
Электрические параметры:
| Номер для заказа | Обратное напряжение пробоя, В | Ток стока, А | Поколение | Rdson (мОм)@25°C | Заряд затвора Qg (нКл) | Рассеяние мощности, Вт | Тепловое сопротивление RthJ-C (°С/Вт) | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| YJD212080NCTG1 | 1200 | 38 | Gen 1 | 77 | 41 | 220 | 0,68 | TO247-3L |
| YJD212080NCFG1 | 1200 | 39 | Gen 1 | 77 | 41 | 223 | 0,67 | TO247-4L |
Компания SUNCOYJ – известный китайский IDM производитель полупроводниковых компонентов и модулей. Макро Групп является официальным дистрибьютором SUNCOYJ Co., Ltd в России и странах СНГ.
Для заказа образцов продукции SUNCOYJ и получения технической поддержки напишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05 доб. 750.
